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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6.1A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF737LCL
  仓库库存编号：IRF737LCL-ND
  别名：*IRF737LCL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCS
  仓库库存编号：IRF737LCS-ND
  别名：*IRF737LCS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCSTRL
  仓库库存编号：IRF737LCSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 6.1A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF737LCSTRR
  仓库库存编号：IRF737LCSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820ASTRL
  仓库库存编号：IRF820ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820ASTRR
  仓库库存编号：IRF820ASTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP3055V
  仓库库存编号：MTP3055VOS-ND
  别名：MTP3055VOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 6.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF737LCPBF
  仓库库存编号：IRF737LCPBF-ND
  别名：*IRF737LCPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 900mW（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS6N303
  仓库库存编号：FDFS6N303CT-ND
  别名：FDFS6N303_NLCT
  FDFS6N303_NLCT-ND
  FDFS6N303CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7A（Ta），36A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD26AN06A0
  仓库库存编号：FDD26AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76013D3S
  仓库库存编号：HUF76013D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD11P06TF
  仓库库存编号：FQD11P06TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI11P06TU
  仓库库存编号：FQI11P06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 20A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76013D3ST
  仓库库存编号：HUF76013D3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 20A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76013P3
  仓库库存编号：HUF76013P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N30TF
  仓库库存编号：FQD7N30TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TM
  仓库库存编号：FQD6N40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 4.2A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD6N40TF
  仓库库存编号：FQD6N40TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
  
  型号：MTP3055V
  仓库库存编号：MTP3055VFS-ND
  别名：MTP3055VFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N50TM
  仓库库存编号：FQD5N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N30TM
  仓库库存编号：FQB7N30TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N50TU
  仓库库存编号：FQU5N50TU-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N50TF
  仓库库存编号：FQD5N50TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N50TM
  仓库库存编号：FQB5N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N50
  仓库库存编号：FQPF5N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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