规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名：SP001117760
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R520CPHKSA1
仓库库存编号：
IPP50R520CPHKSA1-ND
别名：IPP50R520CP
IPP50R520CP-ND
SP000236068
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP50R520CPXKSA1
仓库库存编号：
IPP50R520CPXKSA1-ND
别名：SP000680944
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820
仓库库存编号：
497-2733-5-ND
别名：497-2733-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
STP5NK40Z
仓库库存编号：
497-3194-5-ND
别名：497-3194-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 7A（Tc） 70W（Tc） TO-220
型号：
STP10NM50N
仓库库存编号：
497-10770-5-ND
别名：497-10770-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 7A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD10NM50N
仓库库存编号：
497-10954-1-ND
别名：497-10954-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 525V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
型号：
STB5N52K3
仓库库存编号：
497-11091-1-ND
别名：497-11091-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 620V 2.5A（Tc） 45W（Tc） TO-220
型号：
STP3LN62K3
仓库库存编号：
497-11231-5-ND
别名：497-11231-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 620V 2.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF3LN62K3
仓库库存编号：
497-12577-5-ND
别名：497-12577-5
STF3LN62K3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF710
仓库库存编号：
IRF710-ND
别名：*IRF710
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50V 15A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ20
仓库库存编号：
IRFZ20-ND
别名：*IRFZ20
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710S
仓库库存编号：
IRF710S-ND
别名：*IRF710S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） TO-220
型号：
NDP4060
仓库库存编号：
NDP4060-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4050
仓库库存编号：
NDB4050CT-ND
别名：NDB4050CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
NDB4060
仓库库存编号：
NDB4060TR-ND
别名：NDB4060TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD310
仓库库存编号：
IRFD310-ND
别名：*IRFD310
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820AS
仓库库存编号：
IRF820AS-ND
别名：*IRF820AS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820A
仓库库存编号：
IRF820A-ND
别名：*IRF820A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820AL
仓库库存编号：
IRF820AL-ND
别名：*IRF820AL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） I2PAK
型号：
IRF710L
仓库库存编号：
IRF710L-ND
别名：*IRF710L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRL
仓库库存编号：
IRF710STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRR
仓库库存编号：
IRF710STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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