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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.6W（Ta），39W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5826NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH6R003NL,LQ
仓库库存编号：
TPH6R003NLLQCT-ND
别名：TPH6R003NLLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.6W（Ta），39W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5826NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5826NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N80Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N80Z-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD23N06-31L-T4-E3
仓库库存编号：
SUD23N06-31L-T4-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.6W（Ta），39W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5826NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5826NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.6W（Ta），39W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5826NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5826NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 450mW Surface Mount 8-SOP
型号：
TPC8223-H,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8223-HLQ(S-ND
别名：TPC8223-HLQ(S
TPC8223HLQS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7.4A 450mW Surface Mount 8-SOP
型号：
TPC8407,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8407LQ(S-ND
别名：TPC8407LQ(S
TPC8407LQS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7810DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7810DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7810DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
FDD7N60NZTM
仓库库存编号：
FDD7N60NZTMCT-ND
别名：FDD7N60NZTMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 21.4A（Tc） 5.7W（Ta），31.25W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD23N06-31-T4-GE3
仓库库存编号：
SUD23N06-31-T4-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7218DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7218DN-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R750P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R750P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R750P7ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820ALPBF
仓库库存编号：
IRF820ALPBF-ND
别名：*IRF820ALPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF710STRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644620
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R750P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R750P7AKMA1-ND
别名：SP001644628
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 27W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA80R750P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R750P7XKSA1-ND
别名：SP001644602
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 51W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP80R750P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R750P7XKSA1-ND
别名：SP001644608
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF737LC
仓库库存编号：
IRF737LC-ND
别名：*IRF737LC
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD400N06NGBTMA1
仓库库存编号：
IPD400N06NGBTMA1CT-ND
别名：IPD400N06NG
IPD400N06NGINCT
IPD400N06NGINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N06S2L50ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S2L50ATMA1TR-ND
别名：IPG20N06S2L-50
IPG20N06S2L-50-ND
SP000613728
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0925NDATMA1-ND
别名：SP000934752
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 51W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N06S2L50AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N06S2L50AATMA1-ND
别名：SP001023842
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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