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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGTR-ND
别名：TSM2N100CP ROGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGCT-ND
别名：TSM2N100CP ROGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号：
TSM2N100CP ROGDKR-ND
别名：TSM2N100CP ROGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 71W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL50N6F7
仓库库存编号：
STL50N6F7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 70W（Tc） DPAK
型号：
STD5N52K3
仓库库存编号：
497-10957-1-ND
别名：497-10957-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N90CP ROGTR-ND
别名：TSM3N90CP ROGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N90CP ROGCT-ND
别名：TSM3N90CP ROGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N90CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N90CP ROGDKR-ND
别名：TSM3N90CP ROGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
型号：
STD3LN62K3
仓库库存编号：
497-11213-1-ND
别名：497-11213-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 1.85A（Tc） 77W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM2N100CH C5G
仓库库存编号：
TSM2N100CH C5G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD11N65M5
仓库库存编号：
497-12935-1-ND
别名：497-12935-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM3N90CH C5G
仓库库存编号：
TSM3N90CH C5G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） ITO-220
型号：
TSM3N90CI C0G
仓库库存编号：
TSM3N90CI C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 94W（Tc） TO-220
型号：
TSM3N90CZ C0G
仓库库存编号：
TSM3N90CZ C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP8N85X
仓库库存编号：
IXFP8N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP7N105K5
仓库库存编号：
497-15279-5-ND
别名：497-15279-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
型号：
IXTP12N65X2
仓库库存编号：
IXTP12N65X2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IXTH12N65X2
仓库库存编号：
IXTH12N65X2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），34A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7430
仓库库存编号：
AON7430-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
型号：
AO6402A
仓库库存编号：
785-1069-2-ND
别名：785-1069-2
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 950mW（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMP3035SFG-7
仓库库存编号：
DMP3035SFG-7DI-ND
别名：DMP3035SFG-7DI
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号：
AO4832
仓库库存编号：
AO4832-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 34W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 10A/13.8A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 13.8A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6912A
仓库库存编号：
AON6912A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel 7.6A (Ta) Surface Mount 8-SO
型号：
DMTH6016LSD-13
仓库库存编号：
DMTH6016LSD-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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