以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N60M2
  仓库库存编号：497-13842-5-ND
  别名：497-13842-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 7.0A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10NM50N
  仓库库存编号：497-12563-5-ND
  别名：497-12563-5
  STF10NM50N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 200W（Tc） TO-263HV
  
  型号：IXFA8N85XHV
  仓库库存编号：IXFA8N85XHV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW13N60M2
  仓库库存编号：497-15012-5-ND
  别名：497-15012-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXTA12N65X2
  仓库库存编号：IXTA12N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.7A, 2.6A 800mW Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMC2038LVT-7
  仓库库存编号：DMC2038LVT-7DICT-ND
  别名：DMC2038LVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD03N80ZT4G
  仓库库存编号：NDD03N80ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD03N80ZT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT459N
  仓库库存编号：FDT459NFSCT-ND
  别名：FDT459NFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A, 7.9A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6986AS
  仓库库存编号：FDS6986ASCT-ND
  别名：FDS6986ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N60NZT
  仓库库存编号：FDPF7N60NZT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 4A, 3.6A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMC4A16DN8TA
  仓库库存编号：ZXMC4A16DN8CT-ND
  别名：ZXMC4A16DN8CT
  ZXMC4A16DN8TA-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11N65M5
  仓库库存编号：497-13144-1-ND
  别名：497-13144-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A60U(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A60U(STA4QM)-ND
  别名：TK15A60U(Q)
  TK15A60U(Q,M)
  TK15A60U(QM)
  TK15A60U(QM)-ND
  TK15A60U(STA4QM)
  TK15A60UQ
  TK15A60UQ-ND
  TK15A60USTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 202W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH24N65EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH24N65EF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO220FP
  
  型号：IPA50R520CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R520CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R520CP
  IPA50R520CP-ND
  SP000236076
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R385CP
  仓库库存编号：IPL60R385CPCT-ND
  别名：IPL60R385CPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD13N60M2
  仓库库存编号：497-13862-1-ND
  别名：497-13862-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2319DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2319DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2319DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8821EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8821EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8821EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 820mW（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：DMT6016LFDF-7
  仓库库存编号：DMT6016LFDF-7DICT-ND
  别名：DMT6016LFDF-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4202DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4202DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4202DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL50DN6F7
  仓库库存编号：497-16488-1-ND
  别名：497-16488-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.9W（Ta）, 48W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL11N6F7
  仓库库存编号：497-16501-1-ND
  别名：497-16501-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU13N60M2
  仓库库存编号：497-13885-5-ND
  别名：497-13885-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  PMPB23XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.7W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB23XNEZ
  仓库库存编号：1727-2736-1-ND
  别名：1727-2736-1
  568-13300-1
  568-13300-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索