规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15912-1-ND
别名：497-15912-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15899-1-ND
别名：497-15899-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL13N60M2
仓库库存编号：
497-14966-1-ND
别名：497-14966-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB13N60M2
仓库库存编号：
497-13828-1-ND
别名：497-13828-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
型号：
FDMD82100
仓库库存编号：
FDMD82100CT-ND
别名：FDMD82100CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL12N65M5
仓库库存编号：
497-13964-1-ND
别名：497-13964-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A65U(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK13A65U(STA4QM)-ND
别名：TK13A65U(STA4QM)
TK13A65USTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 170W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK15J60U(F)
仓库库存编号：
TK15J60UF-ND
别名：TK15J60U(F)-ND
TK15J60UF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD03N60C3
仓库库存编号：
SPD03N60C3INCT-ND
别名：SPD03N60C3INCT
SPD03N60C3XTINCT
SPD03N60C3XTINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT1220
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A (Ta) 470mW（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB12UNEX
仓库库存编号：
1727-2703-1-ND
别名：1727-2703-1
568-13222-1
568-13222-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ130N03MS G
仓库库存编号：
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名：BSZ130N03MSGINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），18A（Tc） 2.1W（Ta），37W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0904NSI
仓库库存编号：
BSZ0904NSICT-ND
别名：BSZ0904NSICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 11.4A（Tc） 3.13W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB11P06TM
仓库库存编号：
FQB11P06TMCT-ND
别名：FQB11P06TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 8.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF11P06
仓库库存编号：
FQPF11P06FS-ND
别名：FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF820APBF
仓库库存编号：
IRF820APBF-ND
别名：*IRF820APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP13N65M2
仓库库存编号：
497-15555-5-ND
别名：497-15555-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF13N60M2
仓库库存编号：
497-13832-5-ND
别名：497-13832-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11N65M5
仓库库存编号：
497-13160-ND
别名：497-13160
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15885-5-ND
别名：497-15885-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.35 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STFH13N60M2
仓库库存编号：
497-16594-5-ND
别名：497-16594-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF5N52K3
仓库库存编号：
497-12581-5-ND
别名：497-12581-5
STF5N52K3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） D2PAK
型号：
IRF710SPBF
仓库库存编号：
IRF710SPBF-ND
别名：*IRF710SPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF13N65M2
仓库库存编号：
497-15532-5-ND
别名：497-15532-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP11N65M5
仓库库存编号：
497-13170-ND
别名：497-13170
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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