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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N60M2
  仓库库存编号：497-13950-5-ND
  别名：497-13950-5
  STFI13N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），36A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0909NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0909NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ0909NSCT
  BSZ0909NSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA462DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA462DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA462DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4406A
  仓库库存编号：785-1195-1-ND
  别名：785-1195-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），37.1A（Tc） 3W（Ta）, 37.5W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6016LPS-13
  仓库库存编号：DMTH6016LPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6016LPS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.8A（Ta），37A（Tc） 2.6W（Ta）, 37.5W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6016LPSQ-13
  仓库库存编号：DMTH6016LPSQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6016LPSQ-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT6017LSS-13
  仓库库存编号：DMT6017LSS-13DICT-ND
  别名：DMT6017LSS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta）
  
  型号：SI2319DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2319DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2319DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD11P06TM
  仓库库存编号：FQD11P06TMCT-ND
  别名：FQD11P06TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 11.4A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP11P06
  仓库库存编号：FQP11P06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP
  
  型号：RRH050P03GZETB
  仓库库存编号：RRH050P03GZETBCT-ND
  别名：RRH050P03GZETBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FCD900N60Z
  仓库库存编号：FCD900N60ZCT-ND
  别名：FCD900N60ZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 700mW（Ta），32W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN6R003NL,LQ
  仓库库存编号：TPN6R003NLLQCT-ND
  别名：TPN6R003NLLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TP86R203NL,LQ
  仓库库存编号：TP86R203NLLQCT-ND
  别名：TP86R203NLLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：FCU900N60Z
  仓库库存编号：FCU900N60Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），36A（Tc） 75W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD26AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD26AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDD26AN06A0_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMTH6016LSDQ-13
  仓库库存编号：DMTH6016LSDQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6016LSDQ-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF7N60NZ
  仓库库存编号：FDPF7N60NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN10A25GTA
  仓库库存编号：ZXMN10A25GTACT-ND
  别名：ZXMN10A25GCT
  ZXMN10A25GCT-ND
  ZXMN10A25GTACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF680N10T
  仓库库存编号：FDPF680N10T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：FDU7N60NZTU
  仓库库存编号：FDU7N60NZTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc）
  
  型号：IRFR420ATRPBF
  仓库库存编号：IRFR420ATRPBFCT-ND
  别名：IRFR420ATRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP7N60NZ
  仓库库存编号：FDP7N60NZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3564(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：2SK3564(STA4QM)-ND
  别名：2SK3564(Q)
  2SK3564(STA4,Q)
  2SK3564(STA4Q)
  2SK3564(STA4Q)-ND
  2SK3564(STA4QM)
  2SK3564Q
  2SK3564Q-ND
  2SK3564STA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL13N65M2
  仓库库存编号：497-15476-1-ND
  别名：497-15476-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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