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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ105N04NS G
仓库库存编号：
BSZ105N04NSGINCT-ND
别名：BSZ105N04NSGINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0904NSI
仓库库存编号：
BSC0904NSICT-ND
别名：BSC0904NSICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7218DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7218DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7218DN-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7N30TM
仓库库存编号：
FQD7N30TMCT-ND
别名：FQD7N30TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD13N65M2
仓库库存编号：
497-15460-1-ND
别名：497-15460-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR420APBF
仓库库存编号：
IRFR420APBF-ND
别名：*IRFR420APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU13N65M2
仓库库存编号：
497-15574-5-ND
别名：497-15574-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） TO-220
型号：
STP15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15891-5-ND
别名：497-15891-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5805TRPBF
仓库库存编号：
IRF5805TRPBFCT-ND
别名：IRF5805TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
型号：
DMG7408SFG-7
仓库库存编号：
DMG7408SFG-7DICT-ND
别名：DMG7408SFG-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.42W（Ta） 8-SO
型号：
DMG4466SSSL-13
仓库库存编号：
DMG4466SSSL-13DICT-ND
别名：DMG4466SSSL-13DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC252N10NSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC252N10NSFGATMA1CT-ND
别名：BSC252N10NSF GCT
BSC252N10NSF GCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 29.7W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA03N60C3
仓库库存编号：
SPA03N60C3IN-ND
别名：SP000216296
SPA03N60C3IN
SPA03N60C3XK
SPA03N60C3XKSA1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD5NK40Z-1
仓库库存编号：
497-16199-5-ND
别名：497-16199-5
STD5NK40Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD310PBF
仓库库存编号：
IRFD310PBF-ND
别名：*IRFD310PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820ASPBF
仓库库存编号：
IRF820ASPBF-ND
别名：*IRF820ASPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13N65M2
仓库库存编号：
497-16016-5-ND
别名：497-16016-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU13N65M2
仓库库存编号：
497-16107-5-ND
别名：497-16107-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
型号：
FDMB3900AN
仓库库存编号：
FDMB3900ANCT-ND
别名：FDMB3900ANCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 525V 4.4A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU5N52K3
仓库库存编号：
497-12365-ND
别名：497-12365
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 620V 2.5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STU3LN62K3
仓库库存编号：
497-12361-ND
别名：497-12361
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 83W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420APBF
仓库库存编号：
IRFU420APBF-ND
别名：*IRFU420APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15957-5-ND
别名：497-15957-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU7N105K5
仓库库存编号：
497-15249-5-ND
别名：497-15249-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 110W（Tc） TO-247
型号：
STW7N105K5
仓库库存编号：
497-15285-5-ND
别名：497-15285-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
无铅
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