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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 2.3W（Ta），10.4W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5857DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5857DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5857DU-T1-E3CT
  SI5857DUT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5947DU-T1-E3
  仓库库存编号：SI5947DU-T1-E3CT-ND
  别名：SI5947DU-T1-E3CT
  SI5947DUT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.75W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM09N20-270-E3
  仓库库存编号：SUM09N20-270-E3CT-ND
  别名：SUM09N20-270-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），10A（Tc） 3.7W（Ta），24W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6778A
  仓库库存编号：FDD6778ACT-ND
  别名：FDD6778ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A SC-97
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Ta） 50W（Tc） TFP（9.2x10.7）
  
  型号：2SK3466(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3466(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8003-H(TE12LQMCT
  TPCC8003HTE12LQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5947DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5947DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5947DU-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 2.3W（Ta），10.4W（Tc） PowerPAK? ChipFet 双
  
  型号：SI5857DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5857DU-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS5838NLR2G
  仓库库存编号：NTMS5838NLR2GOSCT-ND
  别名：NTMS5838NLR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta） 30W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP201-TL-H
  仓库库存编号：ATP201-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 10A/8A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 10A, 8A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FW907-TL-E
  仓库库存编号：FW907-TL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.5A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2361EES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2361EES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2361EES-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA936EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA936EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA936EDJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065F
  仓库库存编号：GP1M006A065F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M003A090C
  仓库库存编号：1560-1157-1-ND
  别名：1560-1157-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M003A090PH
  仓库库存编号：1560-1158-5-ND
  别名：1560-1158-1
  1560-1158-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A065FH
  仓库库存编号：1560-1161-5-ND
  别名：1560-1161-1
  1560-1161-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5800
  仓库库存编号：IRF5800-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5805
  仓库库存编号：IRF5805-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5800TR
  仓库库存编号：IRF5800TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.8A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
  
  型号：IRF5805TR
  仓库库存编号：IRF5805TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP295E6327
  仓库库存编号：BSP295INCT-ND
  别名：BSP295INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP03N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP03N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013524
  SPP03N60C3
  SPP03N60C3IN
  SPP03N60C3IN-ND
  SPP03N60C3X
  SPP03N60C3X-ND
  SPP03N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 17nC @ 10V,
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