以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280E6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280E6ATMA1-ND
  别名：SP000795274
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R280C6CT
  IPB65R280C6CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R280E6
  仓库库存编号：IPP65R280E6-ND
  别名：IPP65R280E6XKSA1
  SP000795268
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R280C6
  IPP65R280C6-ND
  SP000785058
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R280E6XKSA1-ND
  别名：SP000795270
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R280C6
  IPA65R280C6-ND
  SP000720898
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R280C6
  IPI65R280C6-ND
  SP000785056
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R199CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R199CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R199CP
  IPB50R199CP-ND
  SP000236092
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R199CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R199CPHKSA1-ND
  别名：SP000236074
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R280C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R280C6FKSA1-ND
  别名：IPW65R280C6
  IPW65R280C6-ND
  SP000785060
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R199CPFKSA1
  仓库库存编号：IPW50R199CPFKSA1-ND
  别名：IPW50R199CP
  IPW50R199CP-ND
  SP000236096
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 105A（Tc） 179W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB083N15N5LFATMA1
  仓库库存编号：IPB083N15N5LFATMA1-ND
  别名：SP001503862
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21A（Tc） 128W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R099C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R099C7AUMA1-ND
  别名：SP001032722
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R095C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R095C7ATMA1-ND
  别名：SP001080124
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080126
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080122
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080130
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NB100
  仓库库存编号：497-2647-5-ND
  别名：497-2647-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7NB60
  仓库库存编号：497-2761-5-ND
  别名：497-2761-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB60N55F3
  仓库库存编号：497-5954-1-ND
  别名：497-5954-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60N55F3
  仓库库存编号：497-7528-5-ND
  别名：497-7528-5
  STP60N55F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW14NM65N
  仓库库存编号：497-7032-5-ND
  别名：497-7032-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 42A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF60N55F3
  仓库库存编号：STF60N55F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：IRF630FP
  仓库库存编号：497-12489-5-ND
  别名：497-12489-5
  IRF630FP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI14NM65N
  仓库库存编号：STI14NM65N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 45nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索