规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681024
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号：
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名：IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF10NM65N
仓库库存编号：
STF10NM65N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10NM65N
仓库库存编号：
497-7499-5-ND
别名：497-7499-5
STP10NM65N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 650V 9A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
型号：
STU10NM65N
仓库库存编号：
STU10NM65N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 55A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD55N4F5
仓库库存编号：
497-10706-1-ND
别名：497-10706-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ24
仓库库存编号：
IRFZ24-ND
别名：*IRFZ24
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16
详细描述：Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 30V 3A 1.4W Surface Mount 16-SOIC
型号：
NDM3000
仓库库存编号：
NDM3000TR-ND
别名：NDM3000TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT452P
仓库库存编号：
NDT452PDKR-ND
别名：NDT452PDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS9400A
仓库库存编号：
NDS9400ACT-ND
别名：NDS9400ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9953A
仓库库存编号：
NDS9953ACT-ND
别名：NDS9953ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1W Surface Mount 8-SO
型号：
NDS8852H
仓库库存编号：
NDS8852HTR-ND
别名：NDS8852HTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ24G
仓库库存编号：
IRFIZ24G-ND
别名：*IRFIZ24G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR020
仓库库存编号：
IRFR020-ND
别名：*IRFR020
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR020TR
仓库库存编号：
IRFR020TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR020TRL
仓库库存编号：
IRFR020TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024
仓库库存编号：
IRFR024-ND
别名：*IRFR024
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TR
仓库库存编号：
IRFR024TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU020
仓库库存编号：
IRFU020-ND
别名：*IRFU020
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU024
仓库库存编号：
IRFU024-ND
别名：*IRFU024
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24S
仓库库存编号：
IRFZ24S-ND
别名：*IRFZ24S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR020TRR
仓库库存编号：
IRFR020TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TRL
仓库库存编号：
IRFR024TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TRR
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IRFR024TRR-ND
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