规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(302)
分立半导体产品
(302)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(21)
Diodes Incorporated(9)
Fairchild/Micross Components(63)
Fairchild/ON Semiconductor(6)
Global Power Technologies Group(2)
Infineon Technologies(73)
IXYS(3)
Kionix Inc.(2)
Nexperia USA Inc.(2)
ON Semiconductor(11)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(2)
STMicroelectronics(15)
Taiwan Semiconductor Corporation(6)
Texas Instruments(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(29)
Vishay BC Components(7)
Vishay Beyschlag(23)
Vishay Electro-Films(9)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(6)
Vishay Vitramon(6)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） ITO-220
型号：
TSM4N90CI C0G
仓库库存编号：
TSM4N90CI C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN 3X3 EP
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 4.1W（Ta），24W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7380
仓库库存编号：
AON7380-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
DMN3030LSS-13
仓库库存编号：
DMN3030LSS-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
型号：
DMN6069SFGQ-13
仓库库存编号：
DMN6069SFGQ-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
型号：
DMN6069SFGQ-7
仓库库存编号：
DMN6069SFGQ-7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8092,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8092LQ(S-ND
别名：TPC8092LQ(S
TPC8092LQS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），31A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2910
仓库库存编号：
AOD2910-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3C50
仓库库存编号：
AOD3C50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7414AENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7414AENW-T1_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4228DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4228DY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4939NR2G
仓库库存编号：
NTMS4939NR2G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF7T60P
仓库库存编号：
AOTF7T60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 7A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF7N70
仓库库存编号：
AOTF7N70-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 2.5W（Ta），61W（Tc） D-Pak
型号：
FQD6N50CTM
仓库库存编号：
FQD6N50CTMCT-ND
别名：FQD6N50CTMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 700V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 198W（Tc） TO-220
型号：
AOT7N70
仓库库存编号：
AOT7N70-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 6A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），30A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB2910L
仓库库存编号：
AOB2910L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta），30A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） TO-220
型号：
AOT2910L
仓库库存编号：
AOT2910L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4834CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4834CDY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4834CDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4834CDY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 39W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF7N60FD
仓库库存编号：
AOTF7N60FD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 250V 20A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
AOT20N25L
仓库库存编号：
785-1588-5-ND
别名：AOT20N25L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.4A（Ta），75A（Tc） 920mW（Ta），48W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4899NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4899NFT1GOSTR-ND
别名：NTMFS4899NFT1GOSTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLWFTWG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 10A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD100N20TL
仓库库存编号：
RCD100N20TL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NVMD3P03R2G
仓库库存编号：
NVMD3P03R2G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
