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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP24N08
  仓库库存编号：FQP24N08-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR020TRPBF
  仓库库存编号：IRFR020PBFCT-ND
  别名：*IRFR020TRPBF
  IRFR020PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86102LZ
  仓库库存编号：FDT86102LZFSCT-ND
  别名：FDT86102LZFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM_F085
  仓库库存编号：FQB7P20TM_F085CT-ND
  别名：FQB7P20TM_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4N80TU
  仓库库存编号：FQI4N80TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAW60R180P7SXKSA1
  仓库库存编号：IPAW60R180P7SXKSA1-ND
  别名：SP001606072
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606038
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606042
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 5W（Ta），72W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60N10F7
  仓库库存编号：497-13879-1-ND
  别名：497-13879-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP14N60P3
  仓库库存编号：IXFP14N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 327W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA14N60P3
  仓库库存编号：IXFA14N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N08N3 G
  仓库库存编号：IPU135N08N3 G-ND
  别名：IPU135N08N3G
  IPU135N08N3GBKMA1
  SP000521642
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R350CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R350CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R350CP
  IPA50R350CP-ND
  SP000236078
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R180P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R180P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R180P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 3.2W（Ta），40W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5116PLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5116PLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5116PLTAGOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7415DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7415DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7415DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.6A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7415DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7415DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7415DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），28A（Tc） 5W（Ta），24W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6558
  仓库库存编号：785-1670-1-ND
  别名：785-1670-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.3W（Ta），31.25W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA34DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA34DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA34DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4228DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4228DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4228DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ034N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSZ034N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSZ034N04LSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK35A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK35A08N1S4X-ND
  别名：TK35A08N1,S4X(S
  TK35A08N1,S4X-ND
  TK35A08N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD30NF04LT
  仓库库存编号：STD30NF04LT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM4N90CZ C0G
  仓库库存编号：TSM4N90CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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