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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 21A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC032N04LSATMA1
  仓库库存编号：BSC032N04LSATMA1CT-ND
  别名：BSC032N04LSATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R185P7AUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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  无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Ta），100A（Tc） 115W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18504KCS
  仓库库存编号：296-35578-5-ND
  别名：296-35578-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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  含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 300V 14A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF14N30
  仓库库存编号：FDPF14N30-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N10F7
  仓库库存编号：497-14573-5-ND
  别名：497-14573-5
  STP45N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF520NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF520NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF520NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIZ24GPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24GPBF-ND
  别名：*IRFIZ24GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.1A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A65W,S5X
  仓库库存编号：TK11A65WS5X-ND
  别名：TK11A65W,S5X(M
  TK11A65W,S5X-ND
  TK11A65WS5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK8A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK8A65D(Q)
  TK8A65D(STA4QM)
  TK8A65DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：IRFZ24SPBF
  仓库库存编号：IRFZ24SPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK290A65Y,S4X
  仓库库存编号：TK290A65YS4X-ND
  别名：TK290A65Y,S4X(S
  TK290A65YS4X
  TK290A65YS4X(S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
  详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK290A60Y,S4X
  仓库库存编号：TK290A60YS4X-ND
  别名：TK290A60Y,S4X(S
  TK290A60YS4X
  TK290A60YS4X(S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK10A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK10A60W5S5VX-ND
  别名：TK10A60W5,S5VX(M
  TK10A60W5S5VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI45N10F7
  仓库库存编号：497-14567-5-ND
  别名：497-14567-5
  STI45N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8447DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8447DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8447DB-T2-E1CT
  SI8447DBT2E1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4578
  仓库库存编号：785-1658-1-ND
  别名：785-1658-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），30A（Tc） 4.2W（Ta），24W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
  
  型号：AON7538
  仓库库存编号：785-1679-1-ND
  别名：785-1679-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），18A（Tc） 930mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFG-7
  仓库库存编号：DMN6069SFG-7DICT-ND
  别名：DMN6069SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），34.5A（Tc） 3.1W（Ta），34.7W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7246
  仓库库存编号：785-1300-1-ND
  别名：785-1300-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF7T60PL
  仓库库存编号：785-1653-5-ND
  别名：785-1653-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD19N10TM
  仓库库存编号：FQD19N10TMCT-ND
  别名：FQD19N10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 6.3A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF630
  仓库库存编号：FQPF630-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），23A（Tc） 4.1W（Ta），28W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7292
  仓库库存编号：785-1676-1-ND
  别名：785-1676-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 20A/28A 8-DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 20A, 28A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：AON6978
  仓库库存编号：785-1632-1-ND
  别名：785-1632-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 13.6A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF19N10
  仓库库存编号：FQPF19N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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