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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 50W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8782
  仓库库存编号：FDD8782CT-ND
  别名：FDD8782CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252
  
  型号：DMPH6050SK3Q-13
  仓库库存编号：DMPH6050SK3Q-13DICT-ND
  别名：DMPH6050SK3Q-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Tc） 6W（Tc）
  
  型号：SQ4431EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4431EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4431EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3W（Ta），78W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL20N6F7
  仓库库存编号：497-16117-1-ND
  别名：497-16117-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7578
  仓库库存编号：FDMS7578CT-ND
  别名：FDMS7578CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.7A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD30N06TM
  仓库库存编号：FQD30N06TMCT-ND
  别名：FQD30N06TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD47N10F7AG
  仓库库存编号：497-16303-1-ND
  别名：497-16303-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Tc） 3.13W（Ta），90W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7P20TM
  仓库库存编号：FQB7P20TMCT-ND
  别名：FQB7P20TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 21A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta），21A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD2582
  仓库库存编号：FDD2582CT-ND
  别名：FDD2582CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4N80TM
  仓库库存编号：FQB4N80TMCT-ND
  别名：FQB4N80TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD45N10F7
  仓库库存编号：497-14532-1-ND
  别名：497-14532-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9400T
  仓库库存编号：DI9400CT-ND
  别名：DI9400
  DI9400CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL15DN4F5
  仓库库存编号：497-10782-1-ND
  别名：497-10782-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R180P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R180P7XKSA1-ND
  别名：SP001606058
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306TR
  仓库库存编号：IRF7306TR-ND
  别名：SP001551228
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7104TRPBF
  仓库库存编号：IRF7104PBFCT-ND
  别名：*IRF7104TRPBF
  IRF7104PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7306TRPBF
  仓库库存编号：IRF7306PBFCT-ND
  别名：*IRF7306TRPBF
  IRF7306PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Tc） 1.65W（Ta） SOT-223
  
  型号：BSP250,115
  仓库库存编号：1727-4930-1-ND
  别名：1727-4930-1
  568-6222-1
  568-6222-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7326D2TRPBF
  仓库库存编号：IRF7326D2TRPBFCT-ND
  别名：IRF7326D2TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7379TRPBF
  仓库库存编号：IRF7379PBFCT-ND
  别名：*IRF7379TRPBF
  IRF7379PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A
  详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD135N08N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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