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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ24PBF
  仓库库存编号：IRFZ24PBF-ND
  别名：*IRFZ24PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET NCH 30V 10.5A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-DFN（2.9x2.3）
  
  型号：AON3414
  仓库库存编号：785-1725-1-ND
  别名：785-1725-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7204TRPBF
  仓库库存编号：IRF7204PBFCT-ND
  别名：*IRF7204TRPBF
  IRF7204PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR024TRPBF
  仓库库存编号：IRFR024PBFCT-ND
  别名：*IRFR024TRPBF
  IRFR024PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
  
  型号：RCD080N25TL
  仓库库存编号：RCD080N25TLCT-ND
  别名：RCD080N25TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520NPBF
  仓库库存编号：IRF520NPBF-ND
  别名：*IRF520NPBF
  SP001571310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP180N10N3 G
  IPP180N10N3 G-ND
  IPP180N10N3G
  SP000683090
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU024PBF
  仓库库存编号：IRFU024PBF-ND
  别名：*IRFU024PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP4N80
  仓库库存编号：FQP4N80FS-ND
  别名：FQP4N80-ND
  FQP4N80FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA04N60C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA04N60C3XKSA1-ND
  别名：SP000216299
  SPA04N60C3
  SPA04N60C3IN
  SPA04N60C3IN-ND
  SPA04N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60C3
  仓库库存编号：SPB04N60C3INCT-ND
  别名：SPB04N60C3INCT
  SPB04N60C3XTINCT
  SPB04N60C3XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120NPBF
  仓库库存编号：IRFU120NPBF-ND
  别名：*IRFU120NPBF
  SP001557678
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU04N60C3
  仓库库存编号：SPU04N60C3IN-ND
  别名：SP000095850
  SPU04N60C3-ND
  SPU04N60C3BKMA1
  SPU04N60C3IN
  SPU04N60C3X
  SPU04N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHP225,118
  仓库库存编号：1727-7202-1-ND
  别名：1727-7202-1
  568-9693-1
  568-9693-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RS3E075ATTB
  仓库库存编号：RS3E075ATTBCT-ND
  别名：RS3E075ATTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJB90EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJB90EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJB90EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P60Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P60YRQCT-ND
  别名：TK290P60YRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.5A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK290P65Y,RQ
  仓库库存编号：TK290P65YRQCT-ND
  别名：TK290P65YRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 5.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7P20
  仓库库存编号：FQPF7P20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 30A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF45N10F7
  仓库库存编号：497-14555-5-ND
  别名：497-14555-5
  STF45N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 800mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4801NR2G
  仓库库存编号：NTMS4801NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4801NR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：SI4501BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4501BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4501BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 30A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA96EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA96EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA96EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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