规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7204TR
仓库库存编号：
IRF7204CT-ND
别名：*IRF7204TR
IRF7204CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF520N
仓库库存编号：
IRF520N-ND
别名：*IRF520N
SP001571320
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4310TR
仓库库存编号：
IRFL4310CT-ND
别名：*IRFL4310TR
IRFL4310CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI520N
仓库库存编号：
IRFI520N-ND
别名：*IRFI520N
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NS
仓库库存编号：
IRF520NS-ND
别名：*IRF520NS
SP001559622
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TR
仓库库存编号：
IRF7326D2CT-ND
别名：IRF7326D2CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7379
仓库库存编号：
IRF7379-ND
别名：*IRF7379
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF520NL
仓库库存编号：
IRF520NL-ND
别名：*IRF520NL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRL
仓库库存编号：
IRF520NSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRR
仓库库存编号：
IRF520NSTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7379TR
仓库库存编号：
IRF7379TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60C3HKSA1-ND
别名：SPP04N60C3
SPP04N60C3IN
SPP04N60C3IN-ND
SPP04N60C3X
SPP04N60C3XK
SPP04N60C3XTIN
SPP04N60C3XTIN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60C3BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60C3BTMA1CT-ND
别名：SPD04N60C3INCT
SPD04N60C3INCT-ND
SPD04N60C3XTINCT
SPD04N60C3XTINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF520NLPBF
仓库库存编号：
IRF520NLPBF-ND
别名：*IRF520NLPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120NCPBF
仓库库存编号：
IRFR120NCPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR120NCTRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7303QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7303QTRPBFCT-ND
别名：IRF7303QTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7306QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7306QTRPBFCT-ND
别名：IRF7306QTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7379QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7379QTRPBFCT-ND
别名：IRF7379QTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
SP000680716
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 550V 10A（Tc） 89W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50R350CP
仓库库存编号：
IPI50R350CP-ND
别名：SP000236084
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP139N08N3 G
仓库库存编号：
IPP139N08N3 G-ND
别名：IPP139N08N3G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名：SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB136N08N3 G
仓库库存编号：
IPB136N08N3 GCT-ND
别名：IPB136N08N3 GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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