以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 25A（Ta） 30W（Tc） TO-220NIS
  
  型号：2SK2507(F)
  仓库库存编号：2SK2507(F)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Ta） 75W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK2883(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK2883(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 9.5A（Ta） 1.4W（Ta） 4-PLLP
  
  型号：NILMS4501NR2G
  仓库库存编号：NILMS4501NR2GOSCT-ND
  别名：NILMS4501NR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），66A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） 4-ICEPAK - B1 PAD（4.8x3.8）
  
  型号：NTMKB4895NT1G
  仓库库存编号：NTMKB4895NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4953ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4953ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4953ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3481DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3481DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4230DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4230DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SUP18N15-95-E3
  仓库库存编号：SUP18N15-95-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.5A（Ta） 1.6W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8320-TL-H
  仓库库存编号：ECH8320-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） DPAK
  
  型号：TK45P03M1,RQ(S
  仓库库存编号：TK45P03M1RQ(S-ND
  别名：TK45P03M1RQ(S
  TK45P03M1RQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0454DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0454DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0454DPB-00#J5CT
  RJK0454DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF14N30T
  仓库库存编号：FDPF14N30T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 10A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），71.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2610
  仓库库存编号：785-1349-1-ND
  别名：785-1349-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 12A (Tc) 2.1W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：AOD607
  仓库库存编号：AOD607-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK12V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK12V60WLVQCT-ND
  别名：TK12V60WLVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4292
  仓库库存编号：785-1657-1-ND
  别名：785-1657-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 38.7W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M004A090FH
  仓库库存编号：GP1M004A090FH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 4A（Tc） 123W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M004A090H
  仓库库存编号：GP1M004A090H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM6N50CH C5G
  仓库库存编号：TSM6N50CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGTR-ND
  别名：TSM6N50CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGCT-ND
  别名：TSM6N50CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5.6A（Ta） 90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM6N50CP ROG
  仓库库存编号：TSM6N50CP ROGDKR-ND
  别名：TSM6N50CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7106
  仓库库存编号：IRF7106-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索