规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD10NM65N
仓库库存编号：
497-7957-1-ND
别名：497-7957-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.1W（Ta），19W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS5826NLTAG
仓库库存编号：
NTTFS5826NLTAGOSCT-ND
别名：NTTFS5826NLTAGOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
型号：
FQD7P20TM
仓库库存编号：
FQD7P20TMCT-ND
别名：FQD7P20TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7119DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7119DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7119DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4946BEY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4946BEY-T1-E3CT-ND
别名：SI4946BEY-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4946BEY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4946BEY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4946BEY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7414DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7414DN-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5116PLTAGOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2582
仓库库存编号：
FDS2582CT-ND
别名：FDS2582CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2.7W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD15N15-95-E3
仓库库存编号：
SUD15N15-95-E3CT-ND
别名：SUD15N15-95-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 4.8W（Ta）, 94W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL90N6F7
仓库库存编号：
497-15913-1-ND
别名：497-15913-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD024PBF
仓库库存编号：
IRFD024PBF-ND
别名：*IRFD024PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP30N06
仓库库存编号：
FQP30N06FS-ND
别名：FQP30N06-ND
FQP30N06FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta），23.6A（Tc） 1.9W（Ta） TO-252，（D-Pak）
型号：
DMPH6050SK3-13
仓库库存编号：
DMPH6050SK3-13DICT-ND
别名：DMPH6050SK3-13DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRFL4310TRPBF
仓库库存编号：
IRFL4310TRPBFCT-ND
别名：IRFL4310TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR120NPBFCT-ND
别名：*IRFR120NTRPBF
IRFR120NPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7303TRPBF
仓库库存编号：
IRF7303PBFCT-ND
别名：*IRF7303TRPBF
IRF7303PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.34A 730mW Surface Mount 8-SOIC
型号：
NTMD3P03R2G
仓库库存编号：
NTMD3P03R2GOSCT-ND
别名：NTMD3P03R2GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7119DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7119DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7119DN-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9952A
仓库库存编号：
NDS9952ACT-ND
别名：NDS9952ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ123N08NS3 G
仓库库存编号：
BSZ123N08NS3GINCT-ND
别名：BSZ123N08NS3GINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB14N30TM
仓库库存编号：
FDB14N30TMCT-ND
别名：FDB14N30TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 25nC @ 10V,
无铅
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