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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD70N10F4
  仓库库存编号：497-8806-1-ND
  别名：497-8806-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），61A（Tc） 4.1W（Ta），118W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NVD5117PLT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
  别名：NVD5117PLT4G-VF01CT
  NVD5117PLT4GOSCT
  NVD5117PLT4GOSCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4904DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4904DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4904DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4904DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4904DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4904DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC027N04LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC027N04LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC027N04LS GCT
  BSC027N04LS GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA11N80C3
  仓库库存编号：SPA11N80C3IN-ND
  别名：SP000216320
  SPA11N80C3IN
  SPA11N80C3X
  SPA11N80C3XK
  SPA11N80C3XKSA1
  SPA11N80C3XTIN
  SPA11N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：R6025FNZ1C9
  仓库库存编号：R6025FNZ1C9-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38.8A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK39N60X,S1F
  仓库库存编号：TK39N60XS1F-ND
  别名：TK39N60X,S1F(S
  TK39N60XS1F
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030ENX
  仓库库存编号：R6030ENX-ND
  别名：R6030ENXCT
  R6030ENXCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030ENZC8
  仓库库存编号：R6030ENZC8-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030ENZ1C9
  仓库库存编号：R6030ENZ1C9-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 13A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ454EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ454EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ454EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP160N75F3
  仓库库存编号：497-7508-5-ND
  别名：497-7508-5
  STP160N75F3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 146W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP053N08B_F102
  仓库库存编号：FDP053N08B_F102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50F
  仓库库存编号：FDA24N50F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB160N75F3
  仓库库存编号：497-7937-1-ND
  别名：497-7937-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50
  仓库库存编号：FDA24N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N80C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP11N80C3XKSA1-ND
  别名：SP000683158
  SPP11N80C3
  SPP11N80C3IN
  SPP11N80C3IN-ND
  SPP11N80C3X
  SPP11N80C3XK
  SPP11N80C3XTIN
  SPP11N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N80C3
  仓库库存编号：SPW11N80C3IN-ND
  别名：SP000013703
  SPW11N80C3FKSA1
  SPW11N80C3IN
  SPW11N80C3X
  SPW11N80C3XK
  SPW11N80C3XTIN
  SPW11N80C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ36N50P
  仓库库存编号：IXTQ36N50P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 150W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6025FNZC8
  仓库库存编号：R6025FNZC8-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 78.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SQP90142E_GE3
  仓库库存编号：SQP90142E_GE3-ND
  别名：SQP90142E_GE3CT
  SQP90142E_GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2007UFG-7
  仓库库存编号：DMP2007UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2007UFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8051-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8051-HTE12LQCT-ND
  别名：TPC8051-HTE12LQCT
  TPC8051HTE12LQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 95A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM90142E_GE3
  仓库库存编号：SQM90142E_GE3CT-ND
  别名：SQM90142E_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 85nC @ 10V,
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