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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQB5N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQB5N60CTM_WSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR420TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR420TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR420TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），100W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N60CTU
  仓库库存编号：FQI5N60CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL16N60M2
  仓库库存编号：497-16003-1-ND
  别名：497-16003-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO-236AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 478mW（Ta）, 8.36W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV55ENEAR
  仓库库存编号：1727-2534-1-ND
  别名：1727-2534-1
  568-12973-1
  568-12973-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC5661N_F085
  仓库库存编号：FDC5661N_F085CT-ND
  别名：FDC5661N_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7216DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7216DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7216DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3NK80Z
  仓库库存编号：497-4342-5-ND
  别名：497-4342-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：SIZ340DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ340DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ340DT-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM061NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM061NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM061NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM061NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM061NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM061NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 88A（Tc） 78W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM061NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM061NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM061NA03CR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGTR-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGCT-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 108A（Tc） 89W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM045NA03CR RLG
  仓库库存编号：TSM045NA03CR RLGDKR-ND
  别名：TSM045NA03CR RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 99W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM3N100CP ROG
  仓库库存编号：TSM3N100CP ROGTR-ND
  别名：TSM3N100CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 99W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM3N100CP ROG
  仓库库存编号：TSM3N100CP ROGCT-ND
  别名：TSM3N100CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 99W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM3N100CP ROG
  仓库库存编号：TSM3N100CP ROGDKR-ND
  别名：TSM3N100CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP30N10F7
  仓库库存编号：STP30N10F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 94W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM3N80CZ C0G
  仓库库存编号：TSM3N80CZ C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 17A TP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP
  
  型号：SFT1445-H
  仓库库存编号：SFT1445-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF5N50
  仓库库存编号：AOTF5N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV7 60/20V 1000A N-CHANNEL POWER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 48.4W（Tj） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86581_F085
  仓库库存编号：FDD86581_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB29N08T,118
  仓库库存编号：1727-3056-1-ND
  别名：1727-3056-1
  568-2190-1
  568-2190-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV7 N CHANNEL POWER TRENCH MOSFE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：FDMS86581_F085
  仓库库存编号：FDMS86581_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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