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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R380P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R380P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R380P6ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU16N60M2
仓库库存编号：
497-16025-5-ND
别名：497-16025-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 71A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YLB,115
仓库库存编号：
1727-7222-1-ND
别名：1727-7222-1
568-9718-1
568-9718-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 58A（Tc） 85W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK7Y13-40B,115
仓库库存编号：
1727-4938-1-ND
别名：1727-4938-1
568-6232-1
568-6232-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N80CP ROGTR-ND
别名：TSM3N80CP ROGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N80CP ROGCT-ND
别名：TSM3N80CP ROGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM3N80CP ROG
仓库库存编号：
TSM3N80CP ROGDKR-ND
别名：TSM3N80CP ROGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU420PBF
仓库库存编号：
IRFU420PBF-ND
别名：*IRFU420PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 27A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP29N08T,127
仓库库存编号：
1727-4645-ND
别名：1727-4645
568-5762
568-5762-5
568-5762-5-ND
568-5762-ND
934057126127
PHP29N08T
PHP29N08T,127-ND
PHP29N08T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 94W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM3N80CH C5G
仓库库存编号：
TSM3N80CH C5G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STD3NK80Z-1
仓库库存编号：
497-12557-5-ND
别名：497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
型号：
STU5N95K3
仓库库存编号：
497-12696-5-ND
别名：497-12696-5
STU5N95K3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP11NM50N
仓库库存编号：
497-10576-5-ND
别名：497-10576-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STU10NM60N
仓库库存编号：
497-12692-5-ND
别名：497-12692-5
STU10NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A80W,S4X
仓库库存编号：
TK10A80WS4X-ND
别名：TK10A80W,S4X(S
TK10A80WS4X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号：
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名：BSC079N03LSCGATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），24W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8015L
仓库库存编号：
FDMC8015LCT-ND
别名：FDMC8015LCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
型号：
TPCP8103-H(TE85LFM
仓库库存编号：
TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
别名：TPCP8103-H(TE85LFMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3437DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3437DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3437DV-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A TP
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP-FA
型号：
SFT1445-TL-H
仓库库存编号：
SFT1445-TL-HOSCT-ND
别名：SFT1445-TL-HOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），49W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N60CTM_WS
仓库库存编号：
FQD5N60CTM_WSCT-ND
别名：FQD5N60CTM_WSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），45A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD20AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDD20AN06A0_F085CT-ND
别名：FDD20AN06A0_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN1600ANH,L1Q
仓库库存编号：
TPN1600ANHL1QCT-ND
别名：TPN1600ANHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 50W（Tc） DPAK
型号：
STD30N10F7
仓库库存编号：
497-14531-1-ND
别名：497-14531-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD13N60DM2
仓库库存编号：
497-16926-1-ND
别名：497-16926-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19nC @ 10V,
无铅
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