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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB16NF06LT4
  仓库库存编号：497-4322-1-ND
  别名：497-4322-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301CDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2301CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2301CDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN340P
  仓库库存编号：FDN340PCT-ND
  别名：FDN340P_F095CT
  FDN340P_F095CT-ND
  FDN340PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN339AN
  仓库库存编号：FDN339ANCT-ND
  别名：FDN339ANCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.9A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
  
  型号：PMK50XP,518
  仓库库存编号：1727-7205-1-ND
  别名：1727-7205-1
  568-9696-1
  568-9696-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：SI3443DV
  仓库库存编号：SI3443DVFSCT-ND
  别名：SI3443DVFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2302-TP
  仓库库存编号：SI2302-TPMSCT-ND
  别名：SI2302-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC634P
  仓库库存编号：FDC634PCT-ND
  别名：FDC634PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 11A 1.4W Surface Mount SOT-28FL/ECH8
  
  型号：ECH8695R-TL-W
  仓库库存编号：ECH8695R-TL-WOSCT-ND
  别名：ECH8695R-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8805EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8805EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8805EDB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4346DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA1029PZ
  仓库库存编号：FDMA1029PZCT-ND
  别名：FDMA1029PZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） 8-HSSO
  
  型号：SK8403180L
  仓库库存编号：P16265CT-ND
  别名：P16265CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8259TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8259TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8259TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 650mW（Ta） X2-DFN2015-3
  
  型号：DMG3415UFY4Q-7
  仓库库存编号：DMG3415UFY4Q-7DICT-ND
  别名：DMG3415UFY4Q-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 1.8W（Ta） 8-PDFN（3x3）
  
  型号：MCP87090T-U/LC
  仓库库存编号：MCP87090T-U/LCCT-ND
  别名：MCP87090T-U/LCCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1C026ZPT2CR
  仓库库存编号：RW1C026ZPT2CRCT-ND
  别名：RW1C026ZPT2CRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 25V 8PDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.2W（Ta） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：MCP87090T-U/MF
  仓库库存编号：MCP87090T-U/MFCT-ND
  别名：MCP87090T-U/MFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 1.3W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2334DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2334DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2334DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 350mW（Ta） SOT-23F
  
  型号：CMPDM203NH TR
  仓库库存编号：CMPDM203NH CT-ND
  别名：CMPDM203NH CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.8A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS9933A
  仓库库存编号：FDS9933ACT-ND
  别名：FDS9933ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4916DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4916DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4916DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V,
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