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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN360P
仓库库存编号：
FDN360PCT-ND
别名：FDN360P_F095CT
FDN360P_F095CT-ND
FDN360PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2318CDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2318CDS-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 1.7W（Ta），2.7W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3456DDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3456DDV-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 3.5W（Ta），10.4W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
型号：
SI5458DU-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5458DU-T1-GE3CT-ND
别名：SI5458DU-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA915DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA915DJ-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4936CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4936CDY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/10A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 9.1A, 10A 1.9W, 2W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6906A
仓库库存编号：
AON6906A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD60R600P7SAUMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K0P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K0P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K0P7ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 4A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A
型号：
RJK4532DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK4532DPD-00#J2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
型号：
RCD050N20TL
仓库库存编号：
RCD050N20TL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A
型号：
RJK6032DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK6032DPD-00#J2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5A TO-220FM
详细描述：通孔 N 沟道 250V 5A（Ta） 30W（Tc） TO-220FM
型号：
RCX050N25
仓库库存编号：
RCX050N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 450V 4.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK5A45DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK5A45DA(STA4QM)-ND
别名：TK5A45DA(STA4QM)
TK5A45DASTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK3A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK3A60DA(STA4QM)-ND
别名：TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R2K0P7AKMA1-ND
别名：SP001634912
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 24W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R2K0P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R2K0P7AKMA1-ND
别名：SP001634926
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001658294
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 40.3W（Tc） TO-251
型号：
RJK6032DPH-E0#T2
仓库库存编号：
RJK6032DPH-E0#T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK2A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK2A65D(STA4QM)-ND
别名：TK2A65D(STA4QM)
TK2A65DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名：SP001618082
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N80P
仓库库存编号：
IXTP1N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 21W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R600P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R600P7XKSA1-ND
别名：SP001618084
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N80P
仓库库存编号：
IXTY1N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
STS4DNF30L
仓库库存编号：
497-5251-1-ND
别名：497-5251-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9nC @ 10V,
无铅
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