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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TRL
仓库库存编号：
IRFR9310TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TRR
仓库库存编号：
IRFR9310TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3455T1
仓库库存编号：
NTGS3455T1OS-ND
别名：NTGS3455T1OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD010PBF
仓库库存编号：
IRFD010PBF-ND
别名：*IRFD010PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP9N15
仓库库存编号：
FQP9N15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5P20TF
仓库库存编号：
FQD5P20TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.8A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP5P20
仓库库存编号：
FQP5P20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.9A（Tc） 44W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9N15
仓库库存编号：
FQPF9N15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 400V 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP2P40
仓库库存编号：
FQP2P40-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2P40TF
仓库库存编号：
FQD2P40TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N40TM
仓库库存编号：
FQD5N40TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP5N40
仓库库存编号：
FQP5N40-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB9N15TM
仓库库存编号：
FQB9N15TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 150V 9A（Tc） 3.75W（Ta），75W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FQI9N15TU
仓库库存编号：
FQI9N15TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N30TM
仓库库存编号：
FQD5N30TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N30TF
仓库库存编号：
FQD5N30TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.4A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP4N50
仓库库存编号：
FQP4N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 4.8A（Tc） 3.13W（Ta），75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5P20TM
仓库库存编号：
FQB5P20TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N40TF
仓库库存编号：
FQD5N40TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.34A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 400V 1.34A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF2P40
仓库库存编号：
FQPF2P40-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.9A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 300V 3.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N30
仓库库存编号：
FQPF5N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3N60TM
仓库库存编号：
FQD3N60TM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU3N60TU
仓库库存编号：
FQU3N60TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3N60TF
仓库库存编号：
FQD3N60TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP3N60
仓库库存编号：
FQP3N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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