规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名：BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K0CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU60R1K0CEAKMA1-ND
别名：SP001369532
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 61W（Tc） PG-TO251
型号：
IPU60R1K0CEAKMA2
仓库库存编号：
IPU60R1K0CEAKMA2-ND
别名：SP001396378
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R950C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R950C6AKMA1-ND
别名：SP001292888
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 8.8A（Ta） 42W（Tc） PG-TO263-2
型号：
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号：
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名：SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
AUIRF7665S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7665S2TR-ND
别名：SP001519440
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 26W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号：
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名：SP001429478
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
STP6NM60N
仓库库存编号：
497-7530-5-ND
别名：497-7530-5
STP6NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 11A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STP16NF06FP
仓库库存编号：
STP16NF06FP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 300V 5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
型号：
STP7NK30Z
仓库库存编号：
STP7NK30Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 550V 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
STP8NM50
仓库库存编号：
STP8NM50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 550V 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STP8NM50FP
仓库库存编号：
497-5396-5-ND
别名：497-5396-5
STP8NM50FP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.75A（Tc） 70W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
型号：
STL6NM60N
仓库库存编号：
497-7992-1-ND
别名：497-7992-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6NM60N
仓库库存编号：
STF6NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 5A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
STD7NK30Z
仓库库存编号：
STD7NK30Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD6NM60N
仓库库存编号：
STD6NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
STB6NM60N
仓库库存编号：
497-8770-1-ND
别名：497-8770-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.6A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD6NM60N-1
仓库库存编号：
STD6NM60N-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Ta） 510mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV22EN,215
仓库库存编号：
568-7535-1-ND
别名：568-7535-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9947
仓库库存编号：
NDS9947CT-ND
别名：NDS9947CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD010
仓库库存编号：
IRFD010-ND
别名：*IRFD010
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310
仓库库存编号：
IRFR9310-ND
别名：*IRFR9310
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9310TR
仓库库存编号：
IRFR9310TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9310
仓库库存编号：
IRFU9310-ND
别名：*IRFU9310
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 2A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9610G
仓库库存编号：
IRFI9610G-ND
别名：*IRFI9610G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
含铅
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