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• IXYS
  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH04N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH04N300P3HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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  不受无铅要求限制
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R360P7SATMA1
  仓库库存编号：IPN60R360P7SATMA1CT-ND
  别名：IPN60R360P7SATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R360P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R360P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R360P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 46W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R365P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R365P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R365P7AUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6N95K5
  仓库库存编号：497-12852-1-ND
  别名：497-12852-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
  
  型号：DMG6602SVT-7
  仓库库存编号：DMG6602SVT-7DICT-ND
  别名：DMG6602SVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 9A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF6N95K5
  仓库库存编号：497-12854-5-ND
  别名：497-12854-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.1A (Tc） 26W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7322ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7322ADN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB600CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB600CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB600CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB600CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB600CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB600CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU3N62K3
  仓库库存编号：497-12695-5-ND
  别名：497-12695-5
  STU3N62K3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 65W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N6LF3
  仓库库存编号：STL8N6LF3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15N50M2AG
  仓库库存编号：STD15N50M2AG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL8DN6LF3
  仓库库存编号：497-13169-1-ND
  别名：497-13169-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N600CP ROGTR-ND
  别名：TSM60N600CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N600CP ROGCT-ND
  别名：TSM60N600CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60N600CP ROG
  仓库库存编号：TSM60N600CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60N600CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NM50T4
  仓库库存编号：497-3162-1-ND
  别名：497-3162-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 430mA（Tc） 2.5W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
  
  型号：STL3NK40
  仓库库存编号：STL3NK40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60NB600CH C5G
  仓库库存编号：TSM60NB600CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60N600CH C5G
  仓库库存编号：TSM60N600CH C5G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 83W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM60N600CI C0G
  仓库库存编号：TSM60N600CI C0G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 950V 9A TO-274
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW6N95K5
  仓库库存编号：497-12874-5-ND
  别名：497-12874-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 950V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N95K5
  仓库库存编号：497-13353-ND
  别名：497-13353
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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