规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.56A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
型号：
FQD2P40TM
仓库库存编号：
FQD2P40TMCT-ND
别名：FQD2P40TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
T6 40V MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C426NT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C426NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C426NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R1K0CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_55/60V
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD15N06S2L64ATMA2
仓库库存编号：
IPD15N06S2L64ATMA2CT-ND
别名：IPD15N06S2L64ATMA2CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R950C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R950C6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R950C6ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
型号：
STP6N95K5
仓库库存编号：
497-12865-5-ND
别名：497-12865-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R5007ANX
仓库库存编号：
R5007ANX-ND
别名：R5007ANXCT
R5007ANXCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 26W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R950C6
仓库库存编号：
IPA60R950C6-ND
别名：IPA60R950C6XKSA1
SP000629360
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF3N62K3
仓库库存编号：
497-12578-5-ND
别名：497-12578-5
STF3N62K3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
STP3N62K3
仓库库存编号：
497-8449-5-ND
别名：497-8449-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP1N105K3
仓库库存编号：
497-13394-5-ND
别名：497-13394-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N80K5
仓库库存编号：
497-15014-5-ND
别名：497-15014-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 110W（Tc） TO-220
型号：
TK7E80W,S1X
仓库库存编号：
TK7E80WS1X-ND
别名：TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 3.4A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5P20
仓库库存编号：
FQPF5P20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
型号：
FQU3N50CTU
仓库库存编号：
FQU3N50CTU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
FDS86242
仓库库存编号：
FDS86242CT-ND
别名：FDS86242CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号：
AON6994
仓库库存编号：
785-1748-1-ND
别名：785-1748-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 33W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF5N60NZ
仓库库存编号：
FDPF5N60NZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5N60NZ
仓库库存编号：
FDP5N60NZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD3N62K3
仓库库存编号：
497-8478-1-ND
别名：497-8478-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAW60R360P7SXKSA1
仓库库存编号：
IPAW60R360P7SXKSA1-ND
别名：SP001606074
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 22W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA60R360P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R360P7XKSA1-ND
别名：SP001606040
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-3
型号：
IPP60R360P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R360P7XKSA1-ND
别名：SP001606036
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP2P40_F080
仓库库存编号：
FQP2P40_F080-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 6A
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH6N95K5-2
仓库库存编号：
497-16316-1-ND
别名：497-16316-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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