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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9310PBF
仓库库存编号：
IRFU9310PBF-ND
别名：*IRFU9310PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.83A（Ta） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD08P06PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD08P06PGBTMA1CT-ND
别名：SPD08P06PGBTMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB60R950C6
仓库库存编号：
IPB60R950C6CT-ND
别名：IPB60R950C6CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R950C6
仓库库存编号：
IPP60R950C6-ND
别名：IPP60R950C6XKSA1
SP000629364
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGTR-ND
别名：TSM2N60SCW RPGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGCT-ND
别名：TSM2N60SCW RPGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGDKR-ND
别名：TSM2N60SCW RPGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGTR-ND
别名：TSM4936DCS RLGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGCT-ND
别名：TSM4936DCS RLGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGDKR-ND
别名：TSM4936DCS RLGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/26A 3.3MM
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 13A, 26A 800mW, 900mW Surface Mount Powerclip-33
型号：
FDPC8013S
仓库库存编号：
FDPC8013SCT-ND
别名：FDPC8013SCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI6N80K5
仓库库存编号：
497-15020-5-ND
别名：497-15020-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW1N105K3
仓库库存编号：
497-13646-5-ND
别名：497-13646-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
型号：
DMN3033LDM-7
仓库库存编号：
DMN3033LDM-7DICT-ND
别名：DMN3033LDM-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 23A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），47A（Tc） 6.2W（Ta），26W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6370
仓库库存编号：
785-1743-1-ND
别名：785-1743-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 25A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），52A（Tc） 6.2W（Ta）, 27W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6368
仓库库存编号：
785-1742-1-ND
别名：785-1742-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
型号：
SI4620DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4620DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4620DY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 27A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），60A（Tc） 6.2W（Ta）, 31W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6362
仓库库存编号：
785-1741-1-ND
别名：785-1741-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU5P20TU
仓库库存编号：
FQU5P20TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06
仓库库存编号：
497-4764-1-ND
别名：497-4764-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 19A/26A DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 26A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
型号：
AON6998
仓库库存编号：
785-1749-1-ND
别名：785-1749-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7672
仓库库存编号：
FDMA7672CT-ND
别名：FDMA7672CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta），8.4A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC86262P
仓库库存编号：
FDMC86262PCT-ND
别名：FDMC86262PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU4N50TU_WS
仓库库存编号：
FQU4N50TU_WS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
STB3N62K3
仓库库存编号：
497-8476-1-ND
别名：497-8476-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
无铅
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