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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD20NF06LT4
  仓库库存编号：497-5888-1-ND
  别名：497-5888-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） TO-236
  
  型号：SI2356DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2356DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2356DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 40V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2318AES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2318AES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2318AES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 1.3W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2338DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2338DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2338DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC855N
  仓库库存编号：FDC855NCT-ND
  别名：FDC855NCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ191P
  仓库库存编号：FDZ191PCT-ND
  别名：FDZ191PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8984
  仓库库存编号：FDS8984CT-ND
  别名：FDS8984CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5P20TM
  仓库库存编号：FQD5P20TMCT-ND
  别名：FQD5P20TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.3A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS9948
  仓库库存编号：NDS9948CT-ND
  别名：NDS9948CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRPBFCT-ND
  别名：*IRFR9310TRPBF
  IRFR9310PBFCT
  IRFR9310PBFCT-ND
  IRFR9310TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NF06
  仓库库存编号：497-2766-5-ND
  别名：497-2766-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMG6602SVTQ-7
  仓库库存编号：DMG6602SVTQ-7DICT-ND
  别名：DMG6602SVTQ-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：NTGS3455T1G
  仓库库存编号：NTGS3455T1GOSCT-ND
  别名：NTGS3455T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA931DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA931DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA931DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN030-60YS,115
  仓库库存编号：1727-4628-1-ND
  别名：1727-4628-1
  568-5584-1
  568-5584-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8884
  仓库库存编号：FDS8884CT-ND
  别名：FDS8884CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03LS G
  仓库库存编号：BSZ130N03LSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03LSGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 19A/31A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 19A, 31A 3.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6992
  仓库库存编号：785-1747-1-ND
  别名：785-1747-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7632
  仓库库存编号：FDMA7632CT-ND
  别名：FDMA7632CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 26A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7228DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7228DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7228DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD5N60NZTM
  仓库库存编号：FDD5N60NZTMCT-ND
  别名：FDD5N60NZTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J4TR
  仓库库存编号：QS8J4CT-ND
  别名：QS8J4CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS6N548
  仓库库存编号：FDFS6N548CT-ND
  别名：FDFS6N548CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.4A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N40TU
  仓库库存编号：FQU5N40TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N40
  仓库库存编号：FQPF5N40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V,
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