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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.5A（Ta），32A（Tc） 1.3W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD65N03RG
  仓库库存编号：NTD65N03RG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.5A（Ta），32A（Tc） 1.3W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD65N03RT4
  仓库库存编号：NTD65N03RT4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
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  含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 9.5A（Ta），32A（Tc） 1.3W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD65N03RT4G
  仓库库存编号：NTD65N03RT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9.8A（Tc） 1.8W（Ta），11.4W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8445DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8445DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8445DB-T2-E1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
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  无铅
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• EPC
  TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2020ENG
  仓库库存编号：917-EPC2020ENG-ND
  别名：917-EPC2020ENG
  EPC2020ENGRB2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.6A（Ta） 2W（Ta） Micro6?（SOT23-6）
  
  型号：IRLMS6802TR
  仓库库存编号：IRLMS6802CT-ND
  别名：*IRLMS6802TR
  IRLMS6802
  IRLMS6802CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
• 
  
  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO104N03S
  仓库库存编号：BSO104N03S-ND
  别名：BSO104N03SNT
  BSO104N03SXT
  SP000077649
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 16nC @ 5V,
• 无铅
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