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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
型号：
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8326TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH7191TRPBF
仓库库存编号：
IRFH7191TRPBFCT-ND
别名：IRFH7191TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N12S3L24ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N12S3L24ATMA1CT-ND
别名：IPD35N12S3L24ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7853TRPBF
仓库库存编号：
IRF7853TRPBFCT-ND
别名：IRF7853TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7855TRPBF
仓库库存编号：
IRF7855TRPBFCT-ND
别名：IRF7855TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6ATMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R380C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R380C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R380C6BTMA1CT
IPD65R380C6CT
IPD65R380C6CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17P10
仓库库存编号：
FQP17P10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP18P10T
仓库库存编号：
IXTP18P10T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP4N100Q
仓库库存编号：
IXFP4N100Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LCPBF
仓库库存编号：
IRF840LCPBF-ND
别名：*IRF840LCPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP3N120
仓库库存编号：
IXFP3N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG9N65CT
仓库库存编号：
DMG9N65CTDI-ND
别名：DMG9N65CTDI
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA65R380E6
仓库库存编号：
IPA65R380E6-ND
别名：IPA65R380E6XKSA1
SP000795282
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R380E6
仓库库存编号：
IPP65R380E6-ND
别名：IPP65R380E6XKSA1
SP000795280
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 27.4A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 27.4A（Tc） 33W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF190N15A
仓库库存编号：
FDPF190N15A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF13N50FT
仓库库存编号：
FDPF13N50FT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG
型号：
RJK60S7DPK-M0#T0
仓库库存编号：
RJK60S7DPK-M0#T0-ND
别名：RJK60S7DPKM0T0
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34.7W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK60S7DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK60S7DPP-E0#T2-ND
别名：RJK60S7DPPE0T2
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN8R5-60YS,115
仓库库存编号：
1727-4280-1-ND
别名：1727-4280-1
568-4969-1
568-4969-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名：IPD35N10S3L26ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
STD20NF20
仓库库存编号：
497-5810-1-ND
别名：497-5810-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），19.5A（Tc） 2.3W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC7678
仓库库存编号：
FDMC7678CT-ND
别名：FDMC7678CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Ta） 107W（Tc） DPAK+
型号：
TK65S04N1L,LQ
仓库库存编号：
TK65S04N1LLQCT-ND
别名：TK65S04N1LLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NF20
仓库库存编号：
497-5812-5-ND
别名：497-5812-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 39nC @ 10V,
无铅
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