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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9317TRPBF
仓库库存编号：
IRF9317TRPBFCT-ND
别名：IRF9317TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Ta） 60W（Tc） ATPAK
型号：
ATP114-TL-H
仓库库存编号：
ATP114-TL-HOSCT-ND
别名：ATP114-TL-HOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC026N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC026N08NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC026N08NS5ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP20N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHP20N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHG20N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW13NK60Z
仓库库存编号：
497-3257-5-ND
别名：497-3257-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 214W（Tj） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDWS9408_F085
仓库库存编号：
FDWS9408_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 4.8W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7748DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7748DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7748DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 60A（Ta） 72W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A114PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A114PLZT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP18N60E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA18N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA18N60E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 179W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB18N60E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP76N25T
仓库库存编号：
IXTP76N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA76N25T
仓库库存编号：
IXTA76N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ76N25T
仓库库存编号：
IXTQ76N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH76N25T
仓库库存编号：
IXTH76N25T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA6N120P TRL
仓库库存编号：
IXFA6N120P TRL-ND
别名：Q10805674
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120P
仓库库存编号：
IXFH6N120P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 70A（Tc） 75W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD70P04P4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD70P04P4L08ATMA1-ND
别名：SP000840206
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU3915PBF
仓库库存编号：
IRLU3915PBF-ND
别名：*IRLU3915PBF
SP001578942
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L08ATMA1-ND
别名：SP000840208
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L08AKSA1-ND
别名：SP000840212
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 75W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L08AKSA1-ND
别名：SP000840210
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7416QTR
仓库库存编号：
AUIRF7416QTR-ND
别名：SP001516460
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
型号：
STB14NK50Z-1
仓库库存编号：
STB14NK50Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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