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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 158A（Tc） 429W（Tc） TO-247
型号：
FDH055N15A
仓库库存编号：
FDH055N15A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16P60P
仓库库存编号：
IXTH16P60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT16P60P
仓库库存编号：
IXTT16P60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 46A
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 446W（Tc） TO-247
型号：
STW65N80K5
仓库库存编号：
497-16333-5-ND
别名：497-16333-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416TRPBF
仓库库存编号：
IRF7416TRPBFCT-ND
别名：IRF7416TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW14NK50Z
仓库库存编号：
497-3258-5-ND
别名：497-3258-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STP14NK50ZFP
仓库库存编号：
497-12607-5-ND
别名：497-12607-5
STP14NK50ZFP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA6N120P
仓库库存编号：
IXFA6N120P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB20N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHB20N50E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI13NK60Z
仓库库存编号：
497-12856-5-ND
别名：497-12856-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP14NK50Z
仓库库存编号：
497-4526-5-ND
别名：497-4526-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STP13NK60ZFP
仓库库存编号：
497-12605-5-ND
别名：497-12605-5
STP13NK60ZFP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 214W（Tj） Power56
型号：
FDMS9408_F085
仓库库存编号：
FDMS9408_F085CT-ND
别名：FDMS9408_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB13NK60ZT4
仓库库存编号：
497-6546-1-ND
别名：497-6546-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB14NK50ZT4
仓库库存编号：
497-12534-1-ND
别名：497-12534-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP6N120P
仓库库存编号：
IXFP6N120P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7416GTRPBF
仓库库存编号：
IRF7416GTRPBFCT-ND
别名：IRF7416GTRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3915TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3915TRPBFCT-ND
别名：IRLR3915TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 155A（Tc） 375W（Tc） PG-HSOF-8-1
型号：
IPT059N15N3ATMA1
仓库库存编号：
IPT059N15N3ATMA1CT-ND
别名：IPT059N15N3ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP13NK60Z
仓库库存编号：
497-3182-5-ND
别名：497-3182-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH42N50P2
仓库库存编号：
IXFH42N50P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 830W（Tc） TO-268
型号：
IXFT42N50P2
仓库库存编号：
IXFT42N50P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR16P60P
仓库库存编号：
IXTR16P60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 34W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA20N50E-E3
仓库库存编号：
SIHA20N50E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
型号：
TSM100N06CZ C0G
仓库库存编号：
TSM100N06CZ C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 92nC @ 10V,
无铅
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