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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120Z
  仓库库存编号：IRFU120Z-ND
  别名：*IRFU120Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTR
  仓库库存编号：IRFR120ZTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTRL
  仓库库存编号：IRFR120ZTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120ZPBF
  仓库库存编号：IRFU120ZPBF-ND
  别名：*IRFU120ZPBF
  SP001578408
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP615S2L
  仓库库存编号：BSP615S2L-ND
  别名：BSP615S2LT
  SP000013181
  SP000440622
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 30W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD14N06S2-80
  仓库库存编号：SPD14N06S2-80-ND
  别名：SP000013575
  SPD14N06S280T
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD800N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD800N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD800N06NG
  IPD800N06NGINCT
  IPD800N06NGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N03LGXT
  仓库库存编号：IPD135N03LGXTCT-ND
  别名：IPD135N03LGINCT
  IPD135N03LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP147N03L G
  仓库库存编号：IPP147N03LGIN-ND
  别名：IPP147N03LGIN
  IPP147N03LGXK
  SP000266315
  SP000680874
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS135N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS135N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS135N03L G
  IPS135N03LGIN
  IPS135N03LGIN-ND
  IPS135N03LGXK
  SP000257455
  SP000788220
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU135N03L G
  仓库库存编号：IPU135N03LGIN-ND
  别名：IPU135N03LGIN
  IPU135N03LGXK
  SP000260752
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB147N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB147N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB147N03L G
  IPB147N03L G-ND
  SP000254712
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD14N06S280ATMA1
  仓库库存编号：IPD14N06S280ATMA1TR-ND
  别名：IPD14N06S2-80
  IPD14N06S2-80-ND
  SP000252161
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR120Z
  仓库库存编号：AUIRFR120Z-ND
  别名：SP001516680
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.2W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8337TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8337TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8337TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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