规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
型号：
CPH6341-TL-E
仓库库存编号：
869-1141-1-ND
别名：869-1141-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.6A（Tc） 58W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N50Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N50Z-1GOS-ND
别名：NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Tc） 37W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN017-30LL,115
仓库库存编号：
568-5580-1-ND
别名：568-5580-1
PSMN01730LL115
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
型号：
CPH6444-TL-E
仓库库存编号：
CPH6444-TL-E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOP
型号：
FW282-TL-E
仓库库存编号：
FW282-TL-E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6341-TL-E
仓库库存编号：
MCH6341-TL-E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1W Surface Mount 8-VEC
型号：
VEC2415-TL-E
仓库库存编号：
VEC2415-TL-E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），24A（Tc） 1.9W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6204
仓库库存编号：
785-1399-1-ND
别名：785-1399-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
AON4807
仓库库存编号：
AON4807-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
型号：
MCH6341-TL-H
仓库库存编号：
MCH6341-TL-H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 4.5A 2.1W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号：
AON3613
仓库库存编号：
785-1493-1-ND
别名：785-1493-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDFMA3P029Z
仓库库存编号：
FDFMA3P029ZCT-ND
别名：FDFMA3P029ZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2A（Ta） 600mW（Ta） 4-AphaDFN（0.97x0.97）
型号：
AOC2423
仓库库存编号：
AOC2423-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
型号：
PMT200EN,135
仓库库存编号：
568-10826-1-ND
别名：568-10826-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.1A（Ta） 380mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV37EN,215
仓库库存编号：
568-10835-1-ND
别名：568-10835-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2C60
仓库库存编号：
785-1662-1-ND
别名：785-1662-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 10A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 2.5A（Ta），10A（Tc） 2.1W（Ta），28.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD474B
仓库库存编号：
AOD474B-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount 8-VEC
型号：
VEC2616-TL-H
仓库库存编号：
VEC2616-TL-HOSCT-ND
别名：VEC2616-TL-HOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
型号：
VEC2616-TL-H-Z
仓库库存编号：
VEC2616-TL-H-Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 3.4A 6-TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.4A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
型号：
AO6800L_003
仓库库存编号：
AO6800L_003-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
AON4807_001
仓库库存编号：
AON4807_001-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH DUAL DFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
AON4807_101
仓库库存编号：
AON4807_101-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120Z
仓库库存编号：
IRFR120Z-ND
别名：*IRFR120Z
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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