以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 150V 7A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 7A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8009-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8009HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8009HTE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8010-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8010HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8010HTE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4A 8-SOPA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8008-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCA8008HTE12LQCT-ND
  别名：TPCA8008HTE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P102
  仓库库存编号：FDFS2P102CT-ND
  别名：FDFS2P102_NLCT
  FDFS2P102_NLCT-ND
  FDFS2P102CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
  
  型号：TPCF8402(TE85L,F,M
  仓库库存编号：TPCF8402FCT-ND
  别名：TPCF8402FCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.8A（Tc） 37W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF7N20
  仓库库存编号：FQPF7N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TF
  仓库库存编号：FQD7N20TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TM
  仓库库存编号：FQD7N20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU7N20TU
  仓库库存编号：FQU7N20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HUFA76504DK8T
  仓库库存编号：HUFA76504DK8T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 3.13W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N20TM
  仓库库存编号：FQB7N20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：NDS8961
  仓库库存编号：NDS8961-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4502PT1
  仓库库存编号：NTR4502PT1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4502PT3
  仓库库存编号：NTR4502PT3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2303BDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2303BDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2303BDS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.25W（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2308DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2308DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2308DS-T1-E3CT
  SI2308DST1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5.5A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4895C
  仓库库存编号：FDS4895C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12.1A（Tc） 8.9W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FDT55AN06LA0
  仓库库存编号：FDT55AN06LA0CT-ND
  别名：FDT55AN06LA0CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8008-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8008-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8010-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8010-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.3A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N20TM_F080
  仓库库存编号：FQD7N20TM_F080-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 1A（Ta） 2.52W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：SFM9110TF
  仓库库存编号：SFM9110TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 2.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 2.8A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） D-Pak
  
  型号：SFR9110TF
  仓库库存编号：SFR9110TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 4.5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SK3342(TE16L1,NQ)
  仓库库存编号：2SK3342(TE16L1,NQ)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 4.5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD2
  
  型号：2SK4021(Q)
  仓库库存编号：2SK4021(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索