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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 4A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta），12A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI444
  仓库库存编号：AOI444-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
  
  型号：VEC2415-TL-W
  仓库库存编号：VEC2415-TL-WOSCT-ND
  别名：VEC2415-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 6A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：FW217A-TL-2W
  仓库库存编号：FW217A-TL-2W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 60V TO252-4L
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 60V 3.5A, 3A 2W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：AOD603A
  仓库库存编号：AOD603A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 74W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2HC60
  仓库库存编号：AOD2HC60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2.5A 1W Surface Mount SOT-28FL/VEC8
  
  型号：VEC2616-TL-W-Z
  仓库库存编号：VEC2616-TL-W-Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 4W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3418AEEV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
  别名：SQ3418AEEV-T1-GE3
  SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：FW389-TL-2W
  仓库库存编号：FW389-TL-2W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK10S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK10S04K3L(T6L1NQ
  TK10S04K3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK8S06K3L(T6L1,NQ)
  仓库库存编号：TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
  别名：TK8S06K3L(T6L1NQ)
  TK8S06K3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF3N80
  仓库库存编号：785-1639-5-ND
  别名：785-1639-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010PBF
  仓库库存编号：IRFR010PBF-ND
  别名：*IRFR010PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR010TRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRPBF
  仓库库存编号：IRFR010TRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD14N06S280ATMA2
  仓库库存编号：IPD14N06S280ATMA2-ND
  别名：SP001063642
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDATMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDATMA1-ND
  别名：SP001117732
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR120ZTRL
  仓库库存编号：AUIRFR120ZTRL-ND
  别名：SP001520338
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 300mA（Tc） 2W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS1HNK60
  仓库库存编号：497-3530-1-ND
  别名：497-3530-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP2NK60Z
  仓库库存编号：497-4377-5-ND
  别名：497-4377-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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  MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS4DNF60
  仓库库存编号：497-8041-1-ND
  别名：497-8041-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010
  仓库库存编号：IRFR010-ND
  别名：*IRFR010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRL
  仓库库存编号：IRFR010TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TR
  仓库库存编号：IRFR010TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR010TRR
  仓库库存编号：IRFR010TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU010
  仓库库存编号：IRFU010-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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