规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL9N60M2
仓库库存编号：
497-14970-1-ND
别名：497-14970-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 101W（Tc） TO-247-3
型号：
IPW80R280P7XKSA1
仓库库存编号：
IPW80R280P7XKSA1-ND
别名：SP001422758
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） TO-220
型号：
STP2N95K5
仓库库存编号：
497-14280-5-ND
别名：497-14280-5
STP2N95K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF9N60M2
仓库库存编号：
497-13833-5-ND
别名：497-13833-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU9N65M2
仓库库存编号：
497-15046-5-ND
别名：497-15046-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF9N65M2
仓库库存编号：
497-15037-5-ND
别名：497-15037-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP9N60M2
仓库库存编号：
497-13843-5-ND
别名：497-13843-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
型号：
STP2N105K5
仓库库存编号：
497-15277-5-ND
别名：497-15277-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW2N105K5
仓库库存编号：
497-15537-5-ND
别名：497-15537-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.13A（Ta） 400mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4502PT1G
仓库库存编号：
NTR4502PT1GOSCT-ND
别名：NTR4502PT1G-ND
NTR4502PT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3L
型号：
AO3434A
仓库库存编号：
785-1460-1-ND
别名：785-1460-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
型号：
RQ6E035ATTCR
仓库库存编号：
RQ6E035ATTCRCT-ND
别名：RQ6E035ATTCRCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC8200
仓库库存编号：
FDMC8200CT-ND
别名：FDMC8200CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R1K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R1K4P7AKMA1-ND
别名：SP001422736
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD9N60M2
仓库库存编号：
497-13864-1-ND
别名：497-13864-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 46W（Tc） DPAK+
型号：
TK15S04N1L,LQ
仓库库存编号：
TK15S04N1LLQCT-ND
别名：TK15S04N1LLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422718
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 24W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R1K4P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R1K4P7XKSA1-ND
别名：SP001422546
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD9N65M2
仓库库存编号：
497-15051-1-ND
别名：497-15051-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD2N105K5
仓库库存编号：
497-15308-1-ND
别名：497-15308-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 510mW（Ta）, 3.9W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV50ENEAR
仓库库存编号：
1727-2533-1-ND
别名：1727-2533-1
568-12972-1
568-12972-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N03L G
仓库库存编号：
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 16A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号：
BUK9K52-60E,115
仓库库存编号：
1727-7273-1-ND
别名：1727-7273-1
568-9903-1
568-9903-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
型号：
IPN80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号：
IPN80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名：IPN80R1K4P7ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
型号：
STD2N95K5
仓库库存编号：
497-14266-1-ND
别名：497-14266-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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