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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2318CX RFG
  仓库库存编号：TSM2318CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2318CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2307CX RFG
  仓库库存编号：TSM2307CX RFGTR-ND
  别名：TSM2307CX RFGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2307CX RFG
  仓库库存编号：TSM2307CX RFGCT-ND
  别名：TSM2307CX RFGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2307CX RFG
  仓库库存编号：TSM2307CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2307CX RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 33A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y21-40EX
  仓库库存编号：1727-1108-1-ND
  别名：1727-1108-1
  568-10263-1
  568-10263-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 840mA（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2325ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2325ES-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFR120ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFR120ZTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD2NK60Z-1
  仓库库存编号：497-12555-5-ND
  别名：497-12555-5
  STD2NK60Z-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.6A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N20
  仓库库存编号：FQP7N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.4A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2NK60Z
  仓库库存编号：497-12576-5-ND
  别名：497-12576-5
  STF2NK60Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP9N65M2
  仓库库存编号：497-15042-5-ND
  别名：497-15042-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 60W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU2N105K5
  仓库库存编号：497-15282-5-ND
  别名：497-15282-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K4CFDBTMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
  别名：IPD65R1K4CFDBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 1.25W（Ta），2.1W（Tc）
  
  型号：SI2366DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2366DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2366DS-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Micro Commercial Co
  P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 250mW（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2303-TP
  仓库库存编号：SI2303-TPMSCT-ND
  别名：SI2303-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 250mW（Ta） SOT-23
  
  型号：SI2304-TP
  仓库库存编号：SI2304-TPMSCT-ND
  别名：SI2304-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.13A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NVTR4502PT1G
  仓库库存编号：NVTR4502PT1GOSCT-ND
  别名：NVTR4502PT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R1K4P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN10H120SE-13
  仓库库存编号：DMN10H120SE-13DICT-ND
  别名：DMN10H120SE-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 3W（Ta），22.9W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E150GNTB
  仓库库存编号：RS1E150GNTBCT-ND
  别名：RS1E150GNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A POWER33
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC7200
  仓库库存编号：FDMC7200CT-ND
  别名：FDMC7200CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A POWER33
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 13A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC7200S
  仓库库存编号：FDMC7200SCT-ND
  别名：FDMC7200SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N80
  仓库库存编号：785-1620-1-ND
  别名：785-1620-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC8200S
  仓库库存编号：FDMC8200SCT-ND
  别名：FDMC8200SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 400mA 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：STS1DNC45
  仓库库存编号：497-12678-1-ND
  别名：497-12678-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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