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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN1HNK60
仓库库存编号：
497-4668-1-ND
别名：497-4668-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2300DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2300DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2300DS-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta），12A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD444
仓库库存编号：
785-1108-1-ND
别名：785-1108-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK60T4
仓库库存编号：
497-2483-1-ND
别名：497-2483-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 3.3A MICRO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.3A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
型号：
FDMA3027PZ
仓库库存编号：
FDMA3027PZCT-ND
别名：FDMA3027PZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF2N95K5
仓库库存编号：
497-14271-5-ND
别名：497-14271-5
STF2N95K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 3.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta），7A（Tc） 5W（Ta），17W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2922
仓库库存编号：
785-1661-1-ND
别名：785-1661-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSH108,215
仓库库存编号：
1727-4925-1-ND
别名：1727-4925-1
568-6216-1
568-6216-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 4W（Tc） 6-TSOP
型号：
SQ3456BEV-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ3456BEV-T1_GE3CT-ND
别名：SQ3456BEV-T1-GE3CT
SQ3456BEV-T1-GE3CT-ND
SQ3456BEV-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA416DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA416DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4286
仓库库存编号：
785-1647-5-ND
别名：785-1647-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK60-1
仓库库存编号：
497-12782-5-ND
别名：497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601
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无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
型号：
RQ5E035ATTCL
仓库库存编号：
RQ5E035ATTCLCT-ND
别名：RQ5E035ATTCLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2W（Ta），16W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120GNTB
仓库库存编号：
RQ3E120GNTBCT-ND
别名：RQ3E120GNTBCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号：
AON3611
仓库库存编号：
785-1570-1-ND
别名：785-1570-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），31A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ165N04NS G
仓库库存编号：
BSZ165N04NSGINCT-ND
别名：BSZ165N04NSGINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ065N03LS
仓库库存编号：
BSZ065N03LSCT-ND
别名：BSZ065N03LSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
DMN4034SSS-13
仓库库存编号：
DMN4034SSS-13CT-ND
别名：DMN4034SSS-13CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ2NK60ZR-AP
仓库库存编号：
497-12345-3-ND
别名：497-12345-3
STQ2NK60ZRAP
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
型号：
BSO220N03MD G
仓库库存编号：
BSO220N03MD GCT-ND
别名：BSO220N03MD GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2305CX RFG
仓库库存编号：
TSM2305CX RFGTR-ND
别名：TSM2305CX RFGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2305CX RFG
仓库库存编号：
TSM2305CX RFGCT-ND
别名：TSM2305CX RFGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2305CX RFG
仓库库存编号：
TSM2305CX RFGDKR-ND
别名：TSM2305CX RFGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2318CX RFG
仓库库存编号：
TSM2318CX RFGTR-ND
别名：TSM2318CX RFGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2318CX RFG
仓库库存编号：
TSM2318CX RFGCT-ND
别名：TSM2318CX RFGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10nC @ 10V,
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