规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.2A(Tc) 98.4W(Tc) TO-220
型号:
GP2M005A060HG
仓库库存编号:
1560-1201-5-ND
别名:1560-1201-1
1560-1201-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.2A(Tc) 98.4W(Tc) I-Pak
型号:
GP2M005A060PGH
仓库库存编号:
1560-1202-5-ND
别名:1560-1202-1
1560-1202-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6354-TL-H
仓库库存编号:
CPH6354-TL-HOSCT-ND
别名:CPH6354-TL-HOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 700V 3.5A(Tc) 56W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM4N70CH C5G
仓库库存编号:
TSM4N70CH C5G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 700V 3.5A(Tc) 56W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4N70CI C0G
仓库库存编号:
TSM4N70CI C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 3.5A(Tc) 56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4N70CP ROG
仓库库存编号:
TSM4N70CP ROGTR-ND
别名:TSM4N70CP ROGTR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 3.5A(Tc) 56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4N70CP ROG
仓库库存编号:
TSM4N70CP ROGCT-ND
别名:TSM4N70CP ROGCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 3.5A(Tc) 56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM4N70CP ROG
仓库库存编号:
TSM4N70CP ROGDKR-ND
别名:TSM4N70CP ROGDKR
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952
仓库库存编号:
IRF9952-ND
别名:*IRF9952
SP001563782
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956
仓库库存编号:
IRF9956-ND
别名:*IRF9956
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL014NTR
仓库库存编号:
IRLL014NTR-ND
别名:SP001558818
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464
仓库库存编号:
IRF7464-ND
别名:*IRF7464
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203
仓库库存编号:
IRLML5203-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TR
仓库库存编号:
IRF7464TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952TR
仓库库存编号:
IRF9952TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956TR
仓库库存编号:
IRF9956TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327
仓库库存编号:
BSP170PE6327INCT-ND
别名:BSP170PE6327INCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.1A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024Z
仓库库存编号:
IRFL024Z-ND
别名:*IRFL024Z
SP001551986
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7464TRPBF
仓库库存编号:
IRF7464PBFCT-ND
别名:*IRF7464TRPBF
IRF7464PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956PBF
仓库库存编号:
IRF9956PBF-ND
别名:SP001565670
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PE6327T
仓库库存编号:
BSP170PE6327XTINCT-ND
别名:BSP170PE6327XTINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 4.8A(Tc) 42W(Tc) DPAK
型号:
IRFR220,118
仓库库存编号:
IRFR220,118-ND
别名:934056819118
IRFR220 /T3
IRFR220 /T3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP170PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP170PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP170PL6327
BSP170PL6327INCT
BSP170PL6327INCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD105N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD105N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD105N03LGINCT
IPD105N03LGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9952QTRPBF
仓库库存编号:
IRF9952QTRPBFCT-ND
别名:IRF9952QTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14nC @ 10V,
无铅
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