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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 16A 390W Chassis Mount SP1
型号：
APTM120A65FT1G
仓库库存编号：
APTM120A65FT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60DHM24T3G
仓库库存编号：
APTC60DHM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60DDAM24T3G
仓库库存编号：
APTC60DDAM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60VDAM24T3G
仓库库存编号：
APTC60VDAM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W SP3
型号：
APTC60BBM24T3G
仓库库存编号：
APTC60BBM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60HM24T3G
仓库库存编号：
APTC60HM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 600V 95A 462W Chassis Mount SP4
型号：
APTC60AM24SCTG
仓库库存编号：
APTC60AM24SCTG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTC60TAM24TPG
仓库库存编号：
APTC60TAM24TPG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 240A（Tc） 231W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB240N03S4LR9ATMA1
仓库库存编号：
IPB240N03S4LR9ATMA1-ND
别名：SP000932012
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF7769L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7769L2TR-ND
别名：SP001522786
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
AUIRF7759L2TR
仓库库存编号：
AUIRF7759L2TR-ND
别名：SP001517184
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH32N50
仓库库存编号：
IXFH32N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 345W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
ISL9N302AS3ST
仓库库存编号：
ISL9N302AS3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 345W（Tc） TO-220AB
型号：
ISL9N302AP3
仓库库存编号：
ISL9N302AP3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 345W（Tc） TO-262AA
型号：
ISL9N302AS3
仓库库存编号：
ISL9N302AS3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N06-3M4L-E3
仓库库存编号：
SUM110N06-3M4L-E3CT-ND
别名：SUM110N06-3M4L-E3-ND
SUM110N06-3M4L-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM120DA56T1G
仓库库存编号：
APTM120DA56T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
型号：
APTM120SK56T1G
仓库库存编号：
APTM120SK56T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 87A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR100N25
仓库库存编号：
IXFR100N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
型号：
NP100P06PDG-E1-AY
仓库库存编号：
NP100P06PDG-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 100A（Tc） 1.8W（Ta），200W（Tc） TO-263
型号：
NP100P06PLG-E1-AY
仓库库存编号：
NP100P06PLG-E1-AY-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 33A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7749L2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7749L2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7749L2TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 26A（Ta），375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7759L2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7759L2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7759L2TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7769L2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7769L2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7769L2TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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