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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta），200A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7749L1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7749L1TRPBFCT-ND
别名：IRF7749L1TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT28M120B2
仓库库存编号：
APT28M120B2-ND
别名：APT28M120B2MI
APT28M120B2MI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 29A TO264
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT28M120L
仓库库存编号：
APT28M120L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
型号：
ATP401-TL-H
仓库库存编号：
ATP401-TL-H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE810DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE810DF-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 100A（Tc） 187W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100P06-9M3L_GE3
仓库库存编号：
SQP100P06-9M3L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 340A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 340A（Tc） 935W（Tc） TO-268
型号：
IXFT340N075T2
仓库库存编号：
IXFT340N075T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q
仓库库存编号：
IXFH30N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50
仓库库存编号：
IXFH30N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 30A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50
仓库库存编号：
IXFT30N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT32N50
仓库库存编号：
IXFT32N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N50
仓库库存编号：
IXFX32N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX100N25
仓库库存编号：
IXFX100N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 650V 97A（Tc） 862W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT97N65LC6
仓库库存编号：
APT97N65LC6-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK100N25
仓库库存编号：
IXFK100N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 27A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX?
型号：
APT26F120B2
仓库库存编号：
APT26F120B2-ND
别名：APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN100N25
仓库库存编号：
IXFN100N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 142A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT10M11JVRU2
仓库库存编号：
APT10M11JVRU2-ND
别名：APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT20M120JCU2
仓库库存编号：
APT20M120JCU2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT20M120JCU3
仓库库存编号：
APT20M120JCU3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60DAM24T1G
仓库库存编号：
APTC60DAM24T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110Q3
仓库库存编号：
IXFN40N110Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60SKM24CT1G
仓库库存编号：
APTC60SKM24CT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP1
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM24T1G
仓库库存编号：
APTC60AM24T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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