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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N06-3M9H-E3
仓库库存编号：
SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
别名：SUM110N06-3M9H-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS23DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS23DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS23DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），124A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7769L1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7769L1TRPBFCT-ND
别名：IRF7769L1TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS3006TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS3006TRL7PPCT-ND
别名：IRFS3006TRL7PPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 340A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 935W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH340N075T2
仓库库存编号：
IXFH340N075T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
详细描述：通孔 N 沟道 68.5A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R041CFD
仓库库存编号：
IPW65R041CFD-ND
别名：IPW65R041CFDFKSA1
SP000756288
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3006TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3006TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3006TRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3006PBF
仓库库存编号：
IRFB3006PBF-ND
别名：SP001570606
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK120N20
仓库库存编号：
IXFK120N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3006GPBF
仓库库存编号：
IRFB3006GPBF-ND
别名：SP001577692
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL3006PBF
仓库库存编号：
IRFSL3006PBF-ND
别名：SP001573396
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
详细描述：通孔 P 沟道 68A（Ta） 2W（Ta），40W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
BMS3004-1E
仓库库存编号：
BMS3004-1EOS-ND
别名：BMS3004-1E-ND
BMS3004-1EOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 257A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP3006PBF
仓库库存编号：
IRFP3006PBF-ND
别名：SP001556714
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 72.8A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 72.8A（Tc） 543W（Tc） TO-247
型号：
FCH76N60NF
仓库库存编号：
FCH76N60NF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 290W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRFS7534TRL7PP
仓库库存编号：
IRFS7534TRL7PPCT-ND
别名：IRFS7534TRL7PPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 560W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX120N20
仓库库存编号：
IXFX120N20-ND
别名：IFX120N20
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 1135W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT26F120L
仓库库存编号：
APT26F120L-ND
别名：APT26F120LMI
APT26F120LMI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 18A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT17F120J
仓库库存编号：
APT17F120J-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 142A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT10M11JVRU3
仓库库存编号：
APT10M11JVRU3-ND
别名：APT10M11JVRU3MI
APT10M11JVRU3MI-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 19A（Tc） 545W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT19M120J
仓库库存编号：
APT19M120J-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
详细描述：底座安装 N 沟道 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
型号：
APTC60SKM24T1G
仓库库存编号：
APTC60SKM24T1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount
型号：
APTC60AM242G
仓库库存编号：
APTC60AM242G-ND
别名：CC20008
CC20008A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
型号：
APTC60DSKM24T3G
仓库库存编号：
APTC60DSKM24T3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB120N50P2
仓库库存编号：
IXFB120N50P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 1560W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB40N110Q3
仓库库存编号：
IXFB40N110Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 300nC @ 10V,
无铅
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