规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP75N20
仓库库存编号：
497-5271-5-ND
别名：497-5271-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
STW75N20
仓库库存编号：
497-5320-5-ND
别名：497-5320-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB75N20
仓库库存编号：
497-5313-1-ND
别名：497-5313-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 22A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB25NM50N
仓库库存编号：
497-5385-1-ND
别名：497-5385-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
型号：
STB25NM60N-1
仓库库存编号：
497-5730-ND
别名：497-5730
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP448
仓库库存编号：
IRFP448-ND
别名：*IRFP448
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LC
仓库库存编号：
IRFPC50LC-ND
别名：*IRFPC50LC
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF76439P3
仓库库存编号：
HUF76439P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF76439S3S
仓库库存编号：
HUF76439S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA76439P3
仓库库存编号：
HUFA76439P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76439S3S
仓库库存编号：
HUFA76439S3S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA76439S3ST
仓库库存编号：
HUFA76439S3ST-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3PB
型号：
WPB4002
仓库库存编号：
WPB4002-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP083N15A
仓库库存编号：
FDP083N15A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 221W（Tc） SOT-426
型号：
BUK7108-40AIE,118
仓库库存编号：
568-9629-1-ND
别名：568-9629-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Ta） 2.5W（Ta），220W（Tc） TO-3P-3L
型号：
WPB4002-1E
仓库库存编号：
WPB4002-1E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 11A（Tc） 416W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M011A090NG
仓库库存编号：
1560-1209-5-ND
别名：1560-1209-1
1560-1209-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264433
SP000681000
SPI15N60CFD
SPI15N60CFD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP15N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP15N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000264425
SPP15N60CFD
SPP15N60CFD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3607GPBF
仓库库存编号：
IRFB3607GPBF-ND
别名：SP001577820
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR3607
仓库库存编号：
AUIRFR3607-ND
别名：SP001521766
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3607
仓库库存编号：
AUIRFS3607-ND
别名：SP001516006
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3607-701PBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3607TRL701P
仓库库存编号：
IRFU3607TRL701PTR-ND
别名：IRFU3607TRL701PTR
SP001557718
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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