规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK80Z
仓库库存编号：
497-5133-5-ND
别名：497-5133-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A I2PAK FP
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI34NM60N
仓库库存编号：
497-12861-5-ND
别名：497-12861-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 160W（Tc） I2PAK
型号：
STB25NM50N-1
仓库库存编号：
497-5729-ND
别名：497-5729
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 610mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN2011UFDE-13
仓库库存编号：
DMN2011UFDE-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 38A（Tc） 94W（Tc） Power56
型号：
FDMS36101L_F085
仓库库存编号：
FDMS36101L_F085CT-ND
别名：FDMS36101L_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 11A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
型号：
AOT1608L
仓库库存编号：
785-1412-5-ND
别名：785-1412-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 11A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB1608L
仓库库存编号：
785-1322-1-ND
别名：785-1322-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） TO-220-3
型号：
TK40E10K3,S1X(S
仓库库存编号：
TK40E10K3S1X(S-ND
别名：TK40E10K3S1X(S
TK40E10K3S1XS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP448PBF
仓库库存编号：
IRFP448PBF-ND
别名：*IRFP448PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50LCPBF
仓库库存编号：
IRFPC50LCPBF-ND
别名：*IRFPC50LCPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH21N50Q
仓库库存编号：
IXFH21N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 21A（Tc） 280W（Tc） TO-268
型号：
IXFT21N50Q
仓库库存编号：
IXFT21N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 56A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU3607
仓库库存编号：
AUIRFU3607-ND
别名：SP001520676
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS3607TRL
仓库库存编号：
AUIRFS3607TRL-ND
别名：SP001520722
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.4A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW15N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW15N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000264429
SPW15N60CFD
SPW15N60CFD-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 120A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB048N15N5LFATMA1
仓库库存编号：
IPB048N15N5LFATMA1-ND
别名：SP001503860
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW25NM60N
仓库库存编号：
497-5025-5-ND
别名：497-5025-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25NM50N
仓库库存编号：
497-4655-5-ND
别名：497-4655-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25NM50N
仓库库存编号：
497-4672-5-ND
别名：497-4672-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW25NM50N
仓库库存编号：
497-4675-5-ND
别名：497-4675-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF25NM60N
仓库库存编号：
497-5005-5-ND
别名：497-5005-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP25NM60N
仓库库存编号：
497-5020-5-ND
别名：497-5020-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB25NM60N
仓库库存编号：
497-5003-1-ND
别名：497-5003-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF9NK80Z
仓库库存编号：
497-5108-5-ND
别名：497-5108-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
无铅
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