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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW75NF20
  仓库库存编号：497-5959-5-ND
  别名：497-5959-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP75NF20
  仓库库存编号：497-5958-5-ND
  别名：497-5958-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3607TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3607TRPBFCT-ND
  别名：IRFR3607TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 294W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP083N15A_F102
  仓库库存编号：FDP083N15A_F102FS-ND
  别名：FDP083N15A_F102-ND
  FDP083N15AF102
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA21N60EF-E3
  仓库库存编号：SIHA21N60EF-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG21N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 4.8W（Ta），41.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR642DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR642DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR642DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3607PBF
  仓库库存编号：IRFSL3607PBF-ND
  别名：SP001565218
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 15A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 147W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 221W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7908-40AIE,127
  仓库库存编号：1727-7224-ND
  别名：1727-7224
  568-9741-5
  568-9741-5-ND
  934057944127
  BUK7908-40AIE
  BUK7908-40AIE,127-ND
  BUK7908-40AIE-ND
  BUK790840AIE127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH20N50E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH20N50E-T1-GE3-ND
  别名：SIHH20N50E-T1-GE3CT
  SIHH20N50E-T1-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29.0A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF34NM60N
  仓库库存编号：497-11887-5-ND
  别名：497-11887-5
  STF34NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS7660
  仓库库存编号：FDMS7660CT-ND
  别名：FDMS7660CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26.5A（Ta），207A（Tc） 1.5W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4982NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4982NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4982NFT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD100NH02LT4
  仓库库存编号：497-4100-1-ND
  别名：497-4100-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB75NF20
  仓库库存编号：497-5957-1-ND
  别名：497-5957-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 117A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB082N15A
  仓库库存编号：FDB082N15AFSCT-ND
  别名：FDB082N15AFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB34NM60N
  仓库库存编号：497-12236-1-ND
  别名：497-12236-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3607PBF
  仓库库存编号：IRFB3607PBF-ND
  别名：64-0093PBF
  64-0093PBF-ND
  SP001551746
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3607PBF
  仓库库存编号：IRFU3607PBF-ND
  别名：64-4147PBF
  64-4147PBF-ND
  SP001557738
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76439S3ST
  仓库库存编号：HUF76439S3STCT-ND
  别名：HUF76439S3STCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3607TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS3607TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS3607TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263AB（D2PAK）
  
  型号：SIHB21N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB21N60EF-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 84nC @ 10V,
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