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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ36N30P
仓库库存编号：
IXTQ36N30P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 460W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50P
仓库库存编号：
IXFH30N50P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6024ENX
仓库库存编号：
R6024ENX-ND
别名：R6024ENXCT
R6024ENXCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-247
型号：
R6024ENZ1C9
仓库库存编号：
R6024ENZ1C9-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6024ENZC8
仓库库存编号：
R6024ENZC8-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRF640STRRPBF
仓库库存编号：
IRF640STRRPBFCT-ND
别名：IRF640STRRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF18NM80
仓库库存编号：
497-13081-5-ND
别名：497-13081-5
STF18NM80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6024ENJTL
仓库库存编号：
R6024ENJTLCT-ND
别名：R6024ENJTLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 130W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH11N65EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH11N65EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH11N65EF-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-247
型号：
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH3N200P3HV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号：
IXTT3N200P3HV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
STB18NM80
仓库库存编号：
497-10117-1-ND
别名：497-10117-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP51N25
仓库库存编号：
FDP51N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMP26-02P
仓库库存编号：
FMP26-02P-ND
别名：FMP2602P
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS612EDNT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS612EDNT-T1-GE3CT-ND
别名：SIS612EDNT-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP12N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP12N65E-GE3-ND
别名：SIHP12N65E-GE3CT
SIHP12N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） I2PAK
型号：
STB10NK60Z-1
仓库库存编号：
STB10NK60Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF34N65M5
仓库库存编号：
497-12976-5-ND
别名：497-12976-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF23NM60ND
仓库库存编号：
STF23NM60ND-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF24NM65N
仓库库存编号：
497-11394-5-ND
别名：497-11394-5
STF24NM65N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB24NM65N
仓库库存编号：
497-7002-1-ND
别名：497-7002-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Ta） 700mW（Ta）, 1.8W（Tc） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMT3020LFDF-13
仓库库存编号：
DMT3020LFDF-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 38A（Ta），200A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C430NLAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C430NLAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta），110W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C430NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C430NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C430NLT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V,
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