规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC50PBF
仓库库存编号：
IRFPC50PBF-ND
别名：*IRFPC50PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 326W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN2R6-60PSQ
仓库库存编号：
1727-1057-ND
别名：1727-1057
568-10165-5
568-10165-5-ND
934067504127
PSMN2R660PSQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta），349A（Tc） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD18536KTTT
仓库库存编号：
296-44122-1-ND
别名：296-44122-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV160NF03LT4
仓库库存编号：
497-3252-1-ND
别名：497-3252-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX48N60Q3
仓库库存编号：
IXFX48N60Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX24N100Q3
仓库库存编号：
IXFX24N100Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 48A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK48N60Q3
仓库库存编号：
IXFK48N60Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80Q3
仓库库存编号：
IXFK32N80Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 1000W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80Q3
仓库库存编号：
IXFX32N80Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 500W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N80Q3
仓库库存编号：
IXFR32N80Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK24N100Q3
仓库库存编号：
IXFK24N100Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），75A（Tc） 4.1W（Ta），46W（Tc） 8-DFN-EP（3x3）
型号：
AON7510
仓库库存编号：
AON7510-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
型号：
BUK762R6-60E,118
仓库库存编号：
1727-1090-1-ND
别名：1727-1090-1
568-10243-1
568-10243-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 15A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-220
型号：
AOT480L
仓库库存编号：
AOT480L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB480L
仓库库存编号：
785-1213-1-ND
别名：785-1213-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP28N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP28N65E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP260N055T2
仓库库存编号：
IXTP260N055T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA260N055T2-7
仓库库存编号：
IXTA260N055T2-7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 260A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 260A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH260N055T2
仓库库存编号：
IXTH260N055T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 50A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT50P10
仓库库存编号：
IXTT50P10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH58N20Q
仓库库存编号：
IXFH58N20Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT40N30Q
仓库库存编号：
IXFT40N30Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH48N15
仓库库存编号：
IXTH48N15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT58N20Q
仓库库存编号：
IXFT58N20Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 140nC @ 10V,
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